集邦科技消息，DDR21GbeTT现货颗粒价格自7月中旬起涨后至9月涨幅已逾约84%左右，颗粒单价更从1。05美元上涨至1。94美元，而10月单月颗粒涨幅更甚之前单月平均，涨幅逼近35%，DDR21GbeTT颗粒价格更突破2美元关卡一路直冲2。62美元。至今，亦创下近二年来的新高价位。从市场面来观察，由于一线DRAM大厂如三星、海力士及尔必达转进DDR3态度积极，预估至第四季产出量约有50%-60%皆为DDR3颗粒，相对于DDR2颗粒产出将会明显减少，加上部份一线内存模块厂囊括台系DRAM厂DDR2颗粒与现货商惜售心态之下，亦让现货市场DDR2供给出现短缺的状况，DDR2现货颗粒价格将有上看3美元的可能性。

　　而在合约市场方面，由于十月下旬合约价再度呈现上涨格局，平均合约价上涨约14%左右，但DDR2高价成交部位直逼42美元，涨幅高达30%。根据集邦科技的调查，合约市场DDR2已出现严重缺货的状况加上整体PC市场需求比预期中好，故十月合约价格呈现相当大的落差。首先一线PC-OEM客户大部分已在十月上旬将整月价格议定，甚至出现Lockingdeal的状况，如果需要采购额外的数量则需以新价格议定，而二、三线PC-OEM厂则出现买不到货的情形，甚至采购价格已经逼近现货价，虽然十月下旬的合约均价是落在36美元之间，但部份成交价已出现42美元以上的价位。

　　而在DDR3合约价方面，十月下旬合约价由31美元上涨至34美元左右，涨幅约9。68%。就供需状况来看，市场尚处稳定的状况，但由于DDR2缺货的关系，DRAM厂目前采取DDR2绑DDR3的方式来销售，且价格几乎等同DDR2，也是造成DDR3合约价格同步上涨的主要原因。由于DDR2颗粒供货持续紧俏，不排除11月份合约价将继续往上攀升。

　　全球DRAM厂DDR3转进现况分析

　　由于近期DDR2价格飞涨，各PC-OEM厂已对明年DDR3机种的加速转进，配合Intel的新芯片组Capella与AMD全力支持DDR3下，预估明年中DDR3机种的出货量将会大于DDR2机种。

　　而根据DRAM厂的进程规划表(Roadmap)来看，韩系DRAM厂部份目前DDR3已全数导入50nm制程，预计下半年40nm制程亦有10%的产出。日系DRAM厂商也已经意识到其中的差距，除了在DDR2方面转进60nm微缩制程外，DDR3方面将只保留DDR32Gb50nm制程，后续将全力加速40nm制程的研发，预计明年第三季前后导入量产。美系厂商方面，50nm制程预计今年第四季可以正式量产，而40nm制程预定明年第三季量产，而与美光合作的华亚科表示，如果良率不错不排除提前将40nm在明年中投片生产。

　　此外在南科方面，DDR3的68nm制程已经量产成功，50nm制程将于第四季与华亚科往50nm制程同时迈进；而力晶方面，由于市况正逐步改善当中，除了等待尔必达60nm制程可以开发成功外，亦考虑购入浸润式机台为50nm制程铺路；而茂德除了将与TIMC合作外，目前也与尔必达积极洽谈标准型内存代工订单，先期将以生产DDR2为主，何时转进DDR3将依市场状况而定，产能亦有望从目前40K的投片量拉至明年的60K。