三菱电机今年继续以“创新功率器件构建可持续未来”为主题， 携带八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)中登场，向公众展示其在功率半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号：B15)。
今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域，包括：变频家电、轨道牵引及电力传输、电动汽车、工业和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
变频家电市场
在变频家电应用方面，三菱电机这次在去年推介的SLIMDIP模块的基础上，开展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S两款产品，SLIMDIP-L用于变频洗衣机和变频空调，而SLIMDIP-S用于变频冰箱和变频风机控制。两款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片，实现更高的集成度；封装面积比超小型DIPIPMTM缩小达30%；内置自举二极管和限流电阻；最大运行壳温提升至115℃；并集成短路保护和欠压保护，同时提供温度模拟量输出版本和过温保护版本供选择。
SLIMDIP模块
轨道牵引及电动汽车驱动市场
在PCIM 亚洲展2016上，三菱电机为轨道牵引和电力传输，以及电动汽车领域，带来三款功率模块，分别为X系列的单管及双管HVIGBT模块，适合牵引变流器及直流输电应用；而J1系列汽车用IGBT模块则适用于电动汽车驱动器，及高可靠性逆变器。
首次亮相展会的X系列双管HVIGBT模块，采用CSTBTTM 结构的第7代IGBT和RFC二极管，降低功率损耗；运用可降低内部电感的封装技术，优化产品性能；使用两种封装(LV100/HV100)，实现两种绝缘耐压(6kV/10kV)，但两者具有相同的外形尺寸。LV100封装包括900A/1.7kV和450A/3.3kV；HV100封装包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV；可提高系统结构设计的灵活性，方便实现逆变器扩容。
至于X系列单管HVIGBT模块，采用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术，实现更低饱和压降和开关损耗；使用LNFLR技术实现低热阻； 允许最高运行结温150℃；安全工作区(SOA)裕度大，续流恢复能力强； 封装兼容传统的H系列HVIGBT；标准产品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV；此外，还有业界规格最大，针对电力传输应用而开发的6500V/1000A单管HVIGBT。
X系列单管HVIGBT模块
J1系列汽车用IGBT模块是专为电动汽车驱动器，及高可靠性逆变器设计，采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块。它使用第7代IGBT硅片技术，损耗更低；高可靠性的DLB(直接主端子绑定)技术；及基于硅片的温度和电流检测技术。J1系列提供A、B两种封装。A型封装(小封装)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V；B型封装(大封装)有1000A/650V和600A/1200V，这两种封装可以满足从小型电动汽车到大型电动公交车的应用要求。
针对J1系列新型汽车模块，三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持，以方便客户快速应用该模块实现汽车用逆变器的设计。
工业市场
针对工业应用市场，三菱电机将展出第7代IGBT模块、整流逆变制动一体化智能功率模块DIPIPM+,G1系列智能功率模块(IPM)。第7代IGBT模块，可以应用在通用变频器、伺服驱动器及不间断电源。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片，降低损耗；具有650V、1200V和1700V三种电压等级；涵盖模块电流75A至2500A；兼容现有市场主流产品封装；提高产品热循环寿命和功率循环寿命；采用预涂热界面材料(PC-TIM)，与传统硅脂相比，模块与散热器的接触热阻降低50%；NX封装具有焊接方式和压接方式两种控制端子可供选择。
整流逆变制动一体化模块DIPIPM+，适合通用变频器、伺服驱动器和商用空调压缩机驱动。它完整地集成整流桥、逆变桥、制动单元以及相应的驱动保护电路， 采用第7代CSTBTTM硅片；内置短路保护、欠压保护功能以及温度模拟量输出功能；另内置自举二极管及自举限流电阻； 提供额定电流覆盖50A/600V和5~35A/1200V。采用该款模块设计通用变频器，可以最大程度地简化PCB布线设计，缩小基板面积，是小功率变频器低成本化的最佳解决方案。
整流逆变制动一体化模块DIPIPM+
G1系列IPM，针对高端变频器、伺服电机驱动器的应用而设计。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片，实现更低损耗；使用更适合伺服驱动器的窄长形封装；控制端子与现行L1 系列兼容，适用同样的接口电路；针对不同的保护动作，输出不同的故障识别信号；额定电流覆盖25A~200A/1200V。
新能源发电市场
为满足新能源发电特别是光伏发电的市场需求，三菱电机向客户大力推介第7代IGBT模块及大功率三电平逆变器用单管IGBT模块。针对大功率光伏逆变器及大功率不间断电源，三菱电机推出大功率三电平逆变器用单管IGBT模块。它采用第6代和第7代IGBT硅片，实现低损耗；可以根据不同需要组建I型或者T型3电平拓扑；具备低杂散电感(1单元模块8nH，两单元模块12nH)；高绝缘耐压达4000Vrms/1分钟；最大结温可达175℃；最大电流等级达到1400A/1200V和1000A/1700V。
大功率三电平逆变器用单管IGBT模块
三菱电机大中国区半导体总经理四个所大亮先生称：“三菱电机既如过往，一直秉持可持续发展信念，不断研发高性能、高可靠性及低损耗的前沿功率器件，来满足电力电子市场持续不断的需要。”
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