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4-8 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计

 发布时间：2020-06-04
电路由三级放大器级联而成,三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题.第三级电路采用了并联负反 ...<全部>
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