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3月14日，上海新阳半导体材料股份有限公司发布公告，拟与合作方共同投资设立子公司“上海新纳微电子材料有限公司”(最终名称以实际工商登记为准，以下简称“目标公司”或“控股子公司”)开展 193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目。
本项目计划总投资 2亿元人民币，资金来源为项目发起单位自筹。项目公司注册资本为 1亿元人民币，上海新阳出资 8000 万元人民币，占目标公司股权的 80%；邓海博士技术团队出资 2000万元人民币，占目标公司股权的 20%。
公告称，193nm高端光刻胶及配套关键材料产品在国内一直是空白。本次对外投资通过组建与集成电路行业国际先进水平接轨的技术和管理人才团队、开展研发高端集成电路制造用 193nm干法光刻胶研发与产业化项目，形成规模化生产能力，填补国内高端光刻胶材料产品的空白，丰富公司半导体材料产品线，为经营业绩的提升打下基础，为中国半导体产业的长远发展做出贡献。
光刻胶产品在集成电路材料中技术难度最大，质量要求最高。尤其是本项目所要开发的 193nm(ArF)高端光刻胶在国内一直是空白，技术和产品一直掌握在国外几大专业厂商手中，国内有多家公司和科研机构历经多年开发与探索，始终未能突破。本项目旨在打破国外专业公司的垄断，填补国内空白。要想达到这一目标，是有一定难度和风险的。本项目计划引进高端专业技术团队，负责关键
配方研制、关键应用技术开发、质量管控及产品生产。同时充分利用公司多年在集成电路配方型功能性化学材料开发和应用方面所积累和拥有的技术经验，与引进技术团队充分配合协作，确保本项目开发成功。
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