——“工艺技术正在走向后摩尔时代，主流器件结构将发生根本变化，平面体硅CMOS工艺走向尽头，FinFET和FDSOI等新器件将引发一系列变化，包括产品的形态及产业环境等。工艺的高度复杂和不可预见因素及代工厂支持能力的下降，将重塑代工厂和设计企业之间的关系。”

　　魏少军指出了半导体行业正在发生的几个发展趋势，首先是器件结构发生根本变化。目前研发和关注度最为广泛的FinFET技术最早由UC Berkeley的华人科学家胡正明教授发明。本世纪初，在担任台积电CTO期间曾向公司提出发展FinFET的设想，但没有得到重视。随后英特尔公司接受了这一建议并投入巨资研发。“2011年英特尔宣布推出22nm的FinFET技术，并预测到2012年Q4其出货中有25%的产品采用FinFET，但实际延迟已经超过一年，FinFET技术的复杂度超过了之前的预想。”魏少军表示。

　　其次，成本越来越高。“从65nm、45nm一直发展到22nm、16nm，芯片研发成本越来越高，22nm工艺节点是一条达到盈亏平衡的产线预计投资需要高达80~100亿美元，16nm工艺节点时可能达到120~150亿美元。”魏少军预测说，“早前的文章中也已经指出：将来只有少数高端芯片设计公司可以负担昂贵的研发费用，而更少的代工厂具备制造新一代的产品的能力。所以现在只有很少的公司下定决心在22nm以下工艺节点投入，目前只有英特尔、TSMC、三星、IBM等。” 高额投资将导致只有少数高端芯片设计公司可以负担昂贵的研发费用，而更少的公司能够拥有最先进的制造工艺。

　　“工艺是基础，设计是龙头。工艺研发模式、产品设计思路都将发生根本性变化，设计必须与工艺紧密结合。” 日前在上海举行的“第六届中国IC设计公司成就奖”颁奖典礼上，中国半导体行业协会IC设计分会理事长魏少军教授在题为“对中国半导体行业再上台阶的思考”的演讲中指出，他根据半导体产业链各发展态势的预测和对技术市场的思考做出了上述判断。(2013年度中国IC设计公司成就奖获奖名单和China Fabless 2013颁奖现场精彩图集)

　　——“工艺技术正在走向后摩尔时代，主流器件结构将发生根本变化，平面体硅CMOS工艺走向尽头，FinFET和FDSOI等新器件将引发一系列变化，包括产品的形态及产业环境等。工艺的高度复杂和不可预见因素及代工厂支持能力的下降，将重塑代工厂和设计企业之间的关系。”

　　魏少军指出了半导体行业正在发生的几个发展趋势，首先是器件结构发生根本变化。目前研发和关注度最为广泛的FinFET技术最早由UC Berkeley的华人科学家胡正明教授发明。本世纪初，在担任台积电CTO期间曾向公司提出发展FinFET的设想，但没有得到重视。随后英特尔公司接受了这一建议并投入巨资研发。“2011年英特尔宣布推出22nm的FinFET技术，并预测到2012年Q4其出货中有25%的产品采用FinFET，但实际延迟已经超过一年，FinFET技术的复杂度超过了之前的预想。”魏少军表示。

　　其次，成本越来越高。“从65nm、45nm一直发展到22nm、16nm，芯片研发成本越来越高，22nm工艺节点是一条达到盈亏平衡的产线预计投资需要高达80~100亿美元，16nm工艺节点时可能达到120~150亿美元。”魏少军预测说，“早前的文章中也已经指出：将来只有少数高端芯片设计公司可以负担昂贵的研发费用，而更少的代工厂具备制造新一代的产品的能力。所以现在只有很少的公司下定决心在22nm以下工艺节点投入，目前只有英特尔、TSMC、三星、IBM等。” 高额投资将导致只有少数高端芯片设计公司可以负担昂贵的研发费用，而更少的公司能够拥有最先进的制造工艺。