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台积电昨（25）日宣布成功以16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程，为海思产出首颗应用在4G基地台及其它网通设备的处理器，向全球展现超强的技术实力。此举证实台积电有机会将16纳米制程的量产时程提前一季，于明年第2季量产。
相较于先前英特尔宣布以14纳米FinFET技术产出的Core M处理器，希望赶在今年底上市，台积电16纳米制程量产时程仅落后半年。
台积电认为，在16纳米方面不会遭遇英特尔以14纳米抢单；唯一能与台积电分庭抗礼者为三星。目前三星规画将以14纳米制程为高通生产手机芯片，预定明年上半量产。
但台积电昨天自信表示，台积电的16FinFET制程能显著改善速度与功率，并降低漏电流，有效克服先进系统单芯片技术微缩时所产生的关键障碍。
台积电拿16纳米FinFET和目前营收主力28纳米高效能行动运算（28HPM）制程比较，16FinFET制程的芯片闸密度比28纳米多两倍，相同功耗下，速度增快逾40%；相同速度下，功耗降低逾60%。
台积电为海思生产的首颗16纳米全新处理器，采用安谋（ARM）32核心Cortex-A57架构，可支持高阶网通应用产品。海思同时也采用台积电CoWoS三维集成电路（3D IC）封装技术。
台积电共同执行长刘德音昨日对外宣布上述喜讯，强调台积电投入FinFET制程研发已超过十年，很高兴诸多努力获得回馈并缔造此项成就，16纳米FinFET技术突破，也将让台积电在专业晶圆代工先进制程上，续保持长期领先地位。
设备商透露，台积电已对设备协力厂提出采购要求，希望在最短时间内，于明年第1季于南科Fab 14 P7厂，进行16纳米产能扩大装机作业，希望将月产能拉升至5万片。
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