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随着半导体发展脚步接近未来的14埃米，工程师们可能得开始在相同的芯片上混合FinFET和奈米线或穿隧FET或自旋波电晶体，他们还必须尝试更多类型的存储器；另一方面，14埃米节点也暗示着原子极限不远了…
在今年的Imec技术论坛(ITF2017)上，Imec半导体技术与系统执行副总裁An Steegen展示最新的半导体开发蓝图，预计在2025年后将出现新制程节点——14埃米(14A；14-angstrom)。这一制程相当于从2025年的2nm再微缩0.7倍；此外，新的占位符号出现，显示制程技术专家乐观看待半导体进展的热情不减。
Steegen指出：“我们仍试图克服种种困难，但如何实现的途径或许已经和以前所做的全然不同了。”
14埃米节点也暗示着原子极限不远了。单个砷原子(半导体所使用的较大元素之一)大约为1.2埃。
随着半导体发展脚步接近未来的14埃米，工程师们可能得开始在相同的芯片上混合鳍式场效电晶体(FinFET)和奈米线或穿隧FET或自旋波电晶体。他们将会开始尝试更多类型的存储器，而且还可能为新型的非冯·诺依曼电脑(non-Von Neumann)提供芯片。
短期来看，Steegen认为业界将在7nm采用极紫外光(EUV)微影技术、FinFET则发生在5nm甚至3nm节点，而奈米线电晶体也将在此过程中出现。
Steegen表示：“从事硬体开发工作的人员越来越有信心，相信EUV将在2020年初准备好投入商用化。经过这么多年的努力，这一切看来正稳定地发展中。”
Imec是率先安装原型EUV系统的公司，至今仍在鲁汶(Leuven)附近大学校园旁的研究实验室中持续该系统的开发。
Steegen预计，EUV“将在最关键的层级导入制程，”以便在线路终端处完成通道和区块。使用今天的浸润式步进器，这项任务必须通过3或4次的步骤，但透过EUV更精密的解析度，只需一次即可完成。
工程师在这些先进节点上工作时，必须先检查其设计能够搭配使用浸润式或EUV系统。当他们在将芯片发挥到极致时，将会使用EUV更进一步缩小其设计。
无论如何，还需要3或甚至4次的浸润式图案化过程，才能打造具有小于40nm间距的特征尺寸。工程师不要指望设计规则能很快地变得更简单。
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