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随半导体产业朝更先进制程发展之际，iST 宜特科技材料分析检测技术再突破！iST 宜特经过一整年的冲刺，检测技术至今年已突破 10 奈米制程，不仅协助多间客户在先进制程产品上完成 TEM 分析与验证，其技术能量更深获 IEEE 半导体元件故障分析领域权威组织 IPFA（International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits，积体电路失效分析论坛）肯定，于会议期间发表最新研究成果。
宜特观察发现，近年来，企业为了打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体元件以满足现今智慧产品之需求，各大厂在先进制程开发的脚步越来越快，已从去年 20 奈米制程，迈入今年的 14 奈米制程；其中包括台积电、英特尔、三星等大厂，更预计陆续于明年进入 10 奈米以下的量产阶段，因此带动整个供应链的 TEM 分析需求。
宜特进一步指出，继去年布建业界 EDS 元素分析能力最强的 TEM 设备，聘雇多位博士级的 TEM 专家，如国内顶尖 TEM 权威──鲍忠兴博士，经过一整年的冲刺，不仅产能大跃进，其检测分析能量更是从去年 14 奈米，向下突破至 10 奈米制程，更深获多间客户如 LED 磊晶厂、半导体设备厂与晶圆代工厂的肯定，检测产能满载，下半年持续扩产以因应客户需求。
宜特科技材料分析工程部经理陈声宇博士表示，宜特材料分析技术能量有目共睹，更获得 IPFA 肯定，于本月举行的会议中，发表“利用高准确性的 TEM / EDS 技术分析先进 NAND flash 产品”之论文。此成果可应用于先进半导体制程中介电层材料（dielectric layer）的分析之上。
▲ 左图为韩系大厂最新垂直堆叠 Flash 记忆体（V-NAND）的 TEM 影像。右图为记忆体单元未受损伤的 TEM / EDS 分析结果。
陈声宇进一步指出，先进制程的介电层材料，往往脆弱而易在分析过程中遭受损伤，分析难度相当高。宜特运用业界最高规格的 TEM / EDS 机台，并充分优化实验参数，成功在介电层材料遭受损伤前，迅速完成讯号的收集，得到准确的元素分布资讯，提供研发工程师改善制程时，最有力的依据。因此才能在短时间内，成为客户在研发阶段，提升开发竞争力的最佳夥伴。
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