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Tower Semiconductor正在使用相变材料来制造低功耗非易失性射频开关，这样可以使射频开关无需消耗电力来保持开关状态，以适合电池供电的物联网应用。
该公司称：“这种开关技术使得Ron x Coff<10fs，可以使开关频率支持5G的所有频段，并进一步扩展到毫米波。”
该工艺已经可用于批量生产，已集成到SiGe BiCMOS和功率CMOS等产品上，并计划于2021年进行多项目晶圆生产（MPW）。
“相变材料射频开关的单片集成并没有影响BiCMOS工艺元件的性能，如FET和双极器件。”
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