之前的程序都是在内部的stepping stone中运行的。但是stepping stone的大小是很小的。ARM11只有8K的大小。这么小的空间，要运行大型程序肯定是不行的。所以就需要外部的存储器。ARM11的外部存储器用的是ddr。所以就要对ddr进行初始化，同时将代码拷贝到ddr中。

先看看S3C6410以nandflash的启动。在上电的时候，CPU会自动把外部的nandflash的前8k数据拷贝到内部的stepping stone中。Stepping stone的地址是从0x0c000000开始的。然后CPU将stepping stone给映射到0x00000000地址处，然后CPU跳转到0地址处执行第一条代码。

不要被图中stepping stone的64M空间迷惑，其实是没有这么大的。只有8K大小。因为这空间很小，所以就需要外部加存储器。图中也说明了，外部存储器的地址从0x50000000开始。大小总共可以有256M。

0x00000000~0x07FFFFFF对应内部的镜像区。这个区用来镜像启动代码的。因为S3C6410支持多种启动方式。当选择一种外设存储设备启动方式的时候，会将该存储设备的首地址给映射到这个区域来。这样当cpu从0地址开始运行代码，就相当于从外设存储设备的首地址运行了。

0x08000000~ 0x0bFFFFFFF对应着内部ROM，但是IROM实际只有32KB，选择从IROM启动的时候，首先运行就是这里面的程序BL0，这部分代码由三星固化。

0x0c000000~ 0x0FFFFFFF对应内部SRAM，实际就是8KB的Steppingstone。

0X10000000~0X3FFFFFFF对应主存储区，这个区域用来访问挂在外部总线上的设备，比如oneNAND,NORFLASH。这个区域内被分割成6个bank。每个bank大小是128M。数据宽度最大支持16bit。每个bank由片选xm0CS[0]~xm0CS[5]选中。

0x50000000~0x6FFFFFFF。DRAM区域。这个区分为两个区，分别占256MB。可以通过片选xm1CS[0]和xm1CS[1]来进行选择。

我使用的OK6410的ddr大小是128M。起始地址是从0x50000000开始。

S3C6410对这些存储设备的操作都是通过控制器来控制的。因为存储器驱动是相对来说比较麻烦的，要产生对应的时序，来对存储器进行读写。如果让CPU来控制产生这些时序的话，那对CPU来说是一个很大的负担，所以在芯片中有存储控制器，CPU通过对直接对存储控制器读写数据，存储控制器自动的把数据按照存储器的时序对存储器进行读写。

这样的话，CPU访问数据就简单很多了。只需要向存储控制发读写信号，地址，数据就可以了。存储控制器自动的去外部存储器取数据或者写数据。

因为外部存储器是有很多的，一个固定的存储控制器是很难兼容控制所有存储器的。所以这个存储控制器就必须是要可配置的，并且外部存储器的控制信号也要符合固定的标准，即时序要是一样的，时间间隔可以不一样。这样才能统一起来。所以这里的ddr初始化，就是去配置ddr的存储控制器。让这个存储器能控制外部的ddr存储器。

这个时候的配置，就得要看外部的ddr存储器的数据手册了。知道各个时间间隔，这样才能配置ddr存储控制器。

上图是ddr的数据手册，大小是64MB。OK6410使用的是两片，所以总共大小是128M。

下面就要来对ddr控制器进行配置。

手册中有对ddr控制器初始化有说明顺序。所以在对ddr控制器初始化的时候，就必须要按照这个规定的顺序来。

整个流程

1、向MEMC_CMD寄存器写入3’b100，使DRAM控制器进入配置状态

2、写存储器时序参数，芯片配置，id配置寄存器。这里就要参考数据手册了。

3、等待200us，让DRAM稳定。因为从上电到现在已经超过这时间了，所以这个可以省略

4、执行存储器初始化序列

5、向MEMC_CMD寄存器写入3’b000，让DRAM控制器进入准备状态

6、检查MEMC_STAT寄存器的存储状态为为2’b01，表示准备好。

DRAM控制器支持两种dram，一种是SDR，一种是DDR。板子用的是DDR，所以上面流程中的执行存储器初始化序列，这里就是执行DDR的初始化序列。

1、向MEM_CMD寄存器的命令位写入2’b11，使DRAM控制器产生NOP命令

2、向MEM_CMD寄存器的命令位写入2’b00，使DRAM控制器产生预充电命令

3、向MEM_CMD寄存器的命令位写入2’b01，使DRAM控制器产生自动刷新命令

4、向MEM_CMD寄存器的命令位写入2’b01，使DRAM控制器产生自动刷新命令

5、向MEM_CMD寄存器的命令位写入2’b10，使DRAM控制器产生MRS命令，EMRS的备份地址必须要设置

6、向MEM_CMD寄存器的命令位写入2’b10，使DRAM控制器产生MRS命令，MRS的备份地址必须要设置

手册中提供的参数有的有错误，实际要参考寄存器中说明的值。

下面就按照这个流程来进行初始化

先使用宏定义将地址都定义一下

第一步：

向MEMC_CMD寄存器写入3’b100，使DRAM控制器进入配置状态

上图是这个寄存器的说明，只有低三位有用。写入100.也就是0x4。

第二步：

写存储器时序参数，芯片配置，id配置寄存器。这里就要参考数据手册了。

这里就要查看数据手册，对寄存器进行设置了。

这个是设置刷新周期的时间。ddr刷新周期的概念可以百度。

在手册中，有下面这个说明

说明刷新周期是7.8us。寄存器设置中的值是刷新周期，不过这周期是通过时钟周期数来设置的。如果这时钟周期是100ns。那么设置的值是78，就刚好是7.8us。在之前的时钟初始化中，把这时间设置为133M了。所以需要去计算一下需要多少个时钟。但是这里，直接使用公式

7800 / ( 1000000000/133000000 ) + 1

最前面的数是要设置的时间，以ns为单位。除的部分是表示133M时钟对应多少ns。这样一算下来，就可以得到需要多少个时钟可以得到7.8us。后面设置时间，也是通过这个方式，这样我们就不用去计算了。

这个是设置CAS参数的。就设置3:1位。最低位这里为0.

在数据手册中也有说明，这个参数可以是2，也可以是3.这里就设置为3。

这个是设置DQSS参数

也是查阅数据手册，在时序那一部分。

数据，这里就看前两列和最后一列，第一列是最小，第二列是最大。最后一个是单位。这里是以时钟为单位，最小是0.75个时钟。这里就可以设置为1.

这个是设置MRD参数。

手册中，参数是2个时钟。

这里，参数就设置为2.

设置RAS参数。

手册中

参数是45ns。所以就要用之前那个式子。

以下就不说明了。一直把各个时序参数设置完就可以了。

配置完P1T_ESR寄存后，时序就配置完了。接着就对芯片进行配置

对这个寄存器的第16位，第4位，第1位和第0位置1

配置读写突发模式是4.

后面6位是配置ddr的行列数的。这个从ddr数据手册中得到，行是13，列是10。所以后面6位值就是6’b010010。刚好就是0x12。

这个配置的位就多了。主要关心前面几个的配置。

这里，配置读延迟[12:11]是01,手册中也说这个是mobile DDR SDRAM使用。板子用的就是mobile DDR。存储器类型[10:8]是011，表示外部存储器是mobile DDR。存储器宽度[7:6]设置为01，表示是32位。一个DDR是16位，但是使用两片拼接的，所以宽度就是32位。后面几位的设置功能目前还不知道有什么用。

这个是对芯片的片选设置的。因DRAM可以有两个，所以有两个寄存器分别对应。板子只用了1个。就是chip0.所以这里就只设置第一个寄存器。

当地址在0x50000000的时候，DDR的片选是应该要有效的，这样DRAM控制器才能访问到DDR。寄存器的[15:8]就是这只这个地址的。说明是这个值和AXI address[31:24]位比较决定芯片是否选中。所以这里的8位值应该为0x50。

16位是存储器的选址方式。手册中有说明，bank-row-column。所以这一位要为1.

对于低8位。DDR的大小是128M。所以地址空间是0x5000_0000~0x57FF_FFFF。而低8位是屏蔽地址的。这里是设置为0XF8.就是将0x5000_0000~0x57FF_FFFF意外的地址屏蔽芯片使能。

所以这个参数的值就是0x150f8。

这里，参数都设置为0.选择最小延迟。

以上就把ddr控制器时序，芯片配置给配置好了。下面就是要进入存储器初始化序列。

第三步：存储器初始化序列

这个就按照序列来。

首先发出nop命令。

第[19:18]位写入11。那么写入的值就是0x000c0000。

发出预充电命令

发出两次自动刷新命令

发出MRS命令，EMRS的bank地址必须要设定

发出MRS命令，MRS的bank地址必须要设定

芯片的后面18位设置BANK地址和存储地址。

首先发第一个MRS命令，要设定EMRS的BANK地址。这个也查手册

Bank地址是10，后面的地址都可以设置为0.

所以写入的参数就是0x000a0000.

发第一个MRS命令，要设定BANK地址。这个也查手册

Bank地址是00.因为之前设置CAS是3，突发模式使4.所以后面的地址为0x32。

所以整个值就是0x00080032。

这样，就完成了存储器的序列配置了。

第三步：向MEMC_CMD寄存器写入3’b000，让DRAM控制器进入准备状态

就往寄存器中写0就可以了。

第四步：检查MEMC_STAT寄存器的存储状态为为2’b01，表示准备好。

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