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艾克赛利（Accelicon），器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者，宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会（2011 IEEE International SOI Conference），并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。
今年的IEEE国际绝缘体上硅大会将成为工程师和科学家们分享和了解硅绝缘体上硅以及多栅CMOS技术最新趋势的盛会。随着近期英特尔宣布成功开发出世界上首个多栅（三栅）晶体管，并将此技术应用于其下代22nm工艺中，基于多栅晶体管技术以及其器件模型的研究已成为当今的热点。
艾克赛利公司首席科学家陈强（Brian Chen）博士受邀在此次大会做主题为 "An Exercise of ET/UTBB SOI CMOS Modeling and Simulation with BSIM-IMG" 的演讲。陈博士将介绍艾克赛利及其合作伙伴对于BSIM-IMG模型探索性的应用情况。模型参数是基于20nm工艺的实际数据，在艾克赛利公司旗舰产品MBP中提取完成的，最终的模型在不同电路中进行了验证。
此项研究工作是艾克赛利与其合作伙伴共同完成的，包括美国加州大学伯克利分校，法国Soitec公司以及法国CEA – LETI公司。
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