今天这篇文章，是在白云机场写的，我都佩服我自己竟然这么勤奋，没办法，后台小伙伴一直催更文章，我只能牺牲掉一切娱乐时间陪你们了。看到这里，如果这篇文章你还不转发朋友圈，那真是不够意思了，感谢大家支持芯片之家，你们的转发点赞就是我的最佳动力！在国外看到一个电路，也是写主副电源自动切换的电路，设计的非常巧妙，刚看到标题时，我就想我不是已经分享过类似文章了么，但是还是点进去看了下。之前的电路：USB 外接电源与锂电池自动切换电路设计，你 GET 到精髓了吗？

上面电路设计也挺不错的，如果 VCC 端需要的电压不一定要求等于 VUSB，那么这个电路是可以的，那么问题来了，如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？上面的电路肯定不能满足了，因为 D1 的压降最小也是 0.3V，我们看下面的电路。

这个电路咋一看复杂很多，其实很简单，巧妙的利用了 MOS 管导通的时候低 Rds 的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低的情况下，极大的提高了效率。

本电路实现了，当 Vin1 = 3.3V 时，不管 Vin2 有没有电压，都由 Vin1 通过 Q3 输出电压，当 Vin1 断开的时候，由 Vin 通过 Q2 输出电压。因为选用 MOS 管的 Rds 非常小，产生的压降差不多为数十 mV，所以 Vout 基本等于 Vin。

原理分析

1、如果 Vin1 = 3.3V，NMOS Q1 导通，之后拉低了 PMOS Q3 的栅极，然后 Q1 也开始导通，此时，Q2 的栅极跟源极之间的电压为 Q3 的导通压降，该电压差不多为几十 mV，因此 Q2 关闭，外部电源 Vin2 断开，Vout 由 Vin1 供电，Vout = 3.3V。此时整个电路的静态功耗 I1+I2 = 20uA。

2、现在，Vin1 断开了，Q1 截止，Q2 的栅极有 R1 的下拉，所以 Q2 导通，Q3 的栅极通过 R2 上拉，所以 Q3 也截止，整个电路，Q1 跟 Q3 截止，Vout 由 Vin2 供电，Vout = 3.3V。此时上面电路 I1 跟 I2 的静态功耗不存在。

分析完毕。当存在主电源时，电路的静态功耗为 20uA，否则，几乎为零。所以电池适合在外部电源供电。

MOSFET Q1、Q2 跟 Q3 应该选择具有低压栅极和非常低的导通电阻特性。例如：Q2 = Q3 = PMN50XP ，在 V gs = 3.3V 时 R dsON 为 60mΩ。晶体管 T3 可以是流 2N7002，仅供参考，实际根据不同的情况选择合适的 MOSFET。

本电路的一大优点就是，整个电路几乎不存在压降，当然电流很大的适合另说，巧妙的控制三个 MOS 管的开启与截止，最大效率的实现的主副电源的自动切换。大家还有什么好的建议以及电路，可以留言大家一起交流！

最后，关于电路的学习，希望大家，enjoy！