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最新技术使导通电阻达到了业内最低水平，有利于MOSFET OR-ing应用
中国，2007年11月30日 — 意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。
ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on) 极低，只有800微欧 (0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。
关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，MOSFET取代了二极管。现在功耗低的STV300NH02L在电源效率上又向前迈出了一大步。
STV300NH02L采用PowerSO-10封装，订货1000件，单价4.50美元。
详情登录ST公司网站：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos
关于意法半导体（ST）公司
意法半导体，是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合(IP)，以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片(SoC)技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，ST的产品扮演了一个重要的角色。公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。2006年，公司净收入98.5亿美元，净收益7.82亿美元，详情请访问ST网站 www.st.com 或 ST中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn
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