Fairchild发布了FDMQ8205,增强了 GreenBridge™ 4颗MOSFET有源桥技术-EDA365

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Fairchild发布了FDMQ8205,增强了 GreenBridge™ 4颗MOSFET有源桥技术

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加利福尼亚桑尼维尔 – 2016 年7月 26日 — 高性能半导体解决方案全球领先供应商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天发布了FDMQ8205，这增强了其业界领先的 GreenBridge™ 4颗MOSFET有源桥技术。FDMQ8205是其 GreenBridge 新一代产品系列中第一款产品，适合于通过POE供电的应用，诸如安全摄像机、无线接入点、LED 照明和其他用电设备 (PD)。通过利用 GreenBridge 方案提供的业界最佳 Rdson 性能、极小的尺寸和卓越的热性能，设计人员能够降低设备的工作温度、提高效率并减少解决方案的尺寸。

先进的GreenBridge技术符合IEEE 802.3at标准，比肖特基二极管的功耗小90%。这种卓越的热性能让设计者能够减小甚至不使用散热器，以便简化产品设计，降低BOM成本，缩小电路板尺寸。

Fairchild 智能功率FET 事业部副总裁 Suman Narayan 表示： “对于热的处理一直都是一个重大的设计挑战，对于新一代功率高达甚至超过25.5W的IoT设备更是如此。我们的 GreenBridge 采用最新的MOSFET技术，帮助工程师消除过多的热，实现关键系统设计目标，包括更高的效率，确保符合标准，降低整体尺寸和降低成本。”

新一代GreenBridge 系列产品极低的导通损耗是另一个重要优势，因为POE 系统的输入功率有限，需要最大化功率和电压。GreenBridge 系列具有业界最佳的 Rdson 性能，由于其采用优化的 PowerTrench MOSFET 技术，提供更佳的功率转换效率，其导通损耗比最接近的竞争产品也要低 47%。

GreenBridge 器件的小尺寸也使得它们非常适合新一代基于POE设备，它们尺寸比以前的基于POE设备更小。在仅为 4.5 mm x 5 mm 的 MLP 封装中，GreenBridge 器件包含四个以全桥方式连接的 MOSFET。除了尺寸小，GreenBridge器件还不需要外部驱动，因此节省了更多 PCB 空间。

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