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【导读】飞兆半导体的40V PowerTrench MOSFET,在动力转向应用中的功率控制更强、效率更高，该器件具有最低的导通电阻和较低的栅极电荷，可降低功耗，因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。
汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。
图题：飞兆半导体的40V PowerTrench MOSFET
FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争对手低20%，并具有较低的Qg值，可降低功耗并最终提高总体效率。 FDB9403 MOSFET作为用于电流控制的基本开关，可有效控制电能而不将其浪费，因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。
特色及优势：
RDS(ON)典型值 = 1mΩ（VGS = 10V，ID = 80A时），可降低功耗以实现 更高的效率
Qg(tot)典型值= 164nC（VGS = 10V，ID = 80A时），可降低功耗以实现更高的效率
UIS能力
符合RoHS标准且通过AEC Q101认证
封装和定价信息（1000片起订，价格单位：美元）
按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内
采用D2PAK TO-263AB封装，FDB9403的定价为2.48美元
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