当今大多数微控制器（MCU）都采用3.3V或更低的直流电压供电。间歇性使用的低功耗嵌入式系统涉及到电池。对于永久使用的情况，设计还通常包括一个主电源（带有变压器和AC/DC电路），并使用线或二极管将两种电源连接在一起（参考文献1和2）。对早期的设计（通常采用9V或更高的电池电源供电）而言，众所周知的二极管正向压降（0.6V）不会有什么问题。但是在最新的电路中，即使选择肖特基二极管（0.3V），也不推荐使用这种解决方案。fHyednc

更好的选择是使用专用的IC控制器来对电池电源和市电电源进行组合。诸如LT4351（参考文献3）之类的器件，由于镇流器MOSFET晶体管的R_dson非常低，因此所产生的正向压降仅为数十毫伏（mV）。但是，与下面简单的分立式解决方案相比，这类专用IC通常很昂贵，而且很难找到。fHyednc

当我在设计需要长期使用的超低功耗便携式数据记录仪而想要提高其整体效率时，图1中的电路就至关重要。fHyednc

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图1：对于电源的线或应用，这种简化的分立式电路与二极管的方法相比可提高效率。fHyednc

下面进行简要说明。如果存在主电源（V_in1），则N沟道MOSFET晶体管T3就会导通，进而会将P沟道MOSFET T2的栅极下拉而使T2导通。晶体管T1所看到的栅源电压（V_gs）是T2的漏源电压（V_ds），该电压仅为数十mV。因此，T1关闭，外部电源通路（V_in2）处于开路状态。fHyednc

现在，在间歇性V_in1断电的情况下，T3由于其栅极通过R1下拉而断开，并且T1导通。晶体管T2由于其栅极通过R2上拉而截止（T2的V_gs几乎为零）。fHyednc

MOSFET T1和T2应选择低电平栅极类型并具有超低导通电阻特性（例如：T1 = T2 = PMN50XP[参考文献4]，其在V_gs =3.3V时R_dson为60mΩ）。晶体管T3可以采用流行的2N7000（或表贴器件2N7002）。fHyednc

存在主电源时，电路的静态电流约为20μA，否则近乎为零。因此，电池适合作为外部电源。fHyednc

R1和R2的值并不重要。如果希望获得非常低的静态电流，则可以将它们选为数百kΩ；如果希望减少输入电源之间的换向时间，则可以将它们选为数十kΩ。fHyednc

Benabadji Mohammed Salim在阿尔及利亚奥兰科技大学攻读计算机科学硕士学位。fHyednc

参考文献

1. Fundamentals of power system ORing, Martin Patoka, EDN, March 21, 2007
2. Use op amps to make automatic-ORing power selector, Bob Zwicker, EDN, August 11, 2011
3. LT4351 MOSFET Diode-OR Controller, Linear Technology Corporation
4. PMN50XP P-channel TrenchMOS extremely low-level FET, NXP Semiconductors, 2007

（本文授权编译自EDN美国版，原文参考链接：ORing low-voltage sources simply and cheaply on 3.3V microcontroller boards，由赵明灿编译）fHyednc

本文为《电子技术设计》2021年1月刊杂志文章，版权所有，禁止转载。免费杂志订阅申请点击这里。fHyednc

（责编：赵明灿）fHyednc