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一些模拟电子技术的基础知识

发布时间:2020-11-11 发布时间:
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一、结构及类型

半导体按材料主要可分为硅管和锗管,其结构如下图示(箭头方向即为电流方向)

二、伏安特性

其伏安特性曲线如下图示,

正向特性:1. 死区电压大小与材质有关,其中Si是0.5V,Ge是0.1V

正向管压降:Si是0.7V,Ge是0.3V

反向特性:IuI

IuI>u(击穿),i反向增大

三、产生击穿原理

条件:半导体的掺杂浓度高,空间电荷区有较强电场,其类型可分为齐纳和雪崩齐纳特点:击穿电压低于4V,击穿电压具有负的温度系数(即温度越高,所需电压越小)雪崩特点:IuI>6V,具有正的温度系数         四、温度对性能影响1.温度升高,死区电压、正向管压降下降2.温度升高,少子浓度增大,反向饱和电流增大
       五、常用线性模型1.理想模型:U>0,D导通,两端电压看做0V,视为短路 U<0,D截止,Id=0A(此电流是二级管上的电流,用Id表示),视为开路2.恒压模型:U>Uf,D导通,Ud=Uf,D视为恒压源(Uf)U

六、特种二级管(即稳压二极管),曲线图如下示

特点:击穿可逆,工作于反向击穿区电参数:稳定电压Uz 动态电阻Rz=Uz的变化量/Iz的变化量 最大允许工作电流Izm 最大允许功率耗散Pzm七、理想稳压管1.U>0,Dz导通,视为短路2.U

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