Cirrus Logic 推出首批数字PFC IC 产品
2010年6月10日.Cirrus Logic 公司(纳斯达克代码:CRUS)今天宣布为不断增长的能源相关市场开发了一个全新的产品线.推出行业首批数字功率因数校正(PFC)控制器 IC.无论在性能还是价格上都超越了模拟 PFC 产品.

Qspeed硅二极管：满足高性能与低成本的双重要求
Qspeed半导体自2006年推出第一款产品之后.就以极其迅猛的速度在发展.抢夺电源分立器件领域市场.Qspeed半导体总裁暨执行长Mike Heitzman凭借其在摩托罗拉半导体以及安森美半导体长达25年的从业经验.以及个人对于

Vishay发布非对称双片TrenchFET
下一代器件的最大RDS(ON)降低57%.提高了转换效率宾夕法尼亚.MALVERN - 2014 年 2 月7 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装.使用TrenchFET® Ge

固态非易失性电位器X9312在频率可调信号源中的应用
1 系统硬件结构 本系统包括四个模块:单片机.数控电位器.液晶显示模块和多输出压控振荡器.控制器采用ATMEL公司的AT89C2051.它是一种低功耗.高性能.片内含2kB EEPROM和128 RAM的8位CMOS微控制器.与MCS-51单

NE555在电源变换中的应用
1.单电源变双电源电路 如图1所示.时基电路NE555接成无稳态电路.③脚输出频率为20kHz.占空比为l:1的方波.③脚为高电平时.C4被充电,低电平时.C3被充电.由于VD1.VD2的存在.C3.C4在电路中只充电不放电.充电

安森美半导体发布100V N沟道MOSFET系列
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列.新增12款100V器件.安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的业界领先雪崩额定值.非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力

用集成驱动器优化GaN性能
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能.并且能够简化基于GaN的功率级设计.氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多.从而有可能实现更低的开关损耗.然而.当压摆率很高时.特定的封装