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安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100V器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：
·导通阻抗(RDS(on))低至13mΩ
·电流能力高达76A
·经过100%雪崩测试
·通过AEC-Q101标准认证
安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰，以及推动更高能效，安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择，帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。”
NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用无铅及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封装。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用无铅及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封装。所有这些器件的工作温度范围为-55°C至+175°C。
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