变频器大师课:实例教学与知识详解
Microchip全新瞬态电压抑制器在严酷环境下实现出色电路保护 航空航天系统依赖于引擎控制单元.环境控制.仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作.数据中心.5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路.而这些电路需要得到妥善保护.即便有闪电.太阳活动和
英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT 新型IGBT将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平. 德国慕尼黑 – 2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/ OTCQX:IFNNY)近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT.此类IGBT 专门针对 50Hz 至20
英飞凌推出650V高性能IGBT TRENCHSTOP5 英飞凌展示可满足客户高要求的性能一流的IGBT--650V TRENCHSTOP52013年6月19日.上海讯--英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 电力电子.智能运动.可再生能源管理展览会上突出展
如何为便携式系统选择电容和电感元件 设计人员在考虑无源器件时,他们想到的是电感电容的生产容限,一般为± 20% 或±10%.这在理论上是对的,但在实际应用中却不然.本文介绍电容电感易受影响的一些参数以及系统设计人员必须了解的知识,并讨论如何为最小但最
矩阵式变换器设计中的干扰抑制技术 1 概述 矩阵式变换器是一种强迫换相的交-交变换器.它由9个可控的双向开关.利用PWM控制将交流供电电源直接变换成负载所需的变压变频电源.其结构如图1所示.双向开关使用两个IGBT共集电极反向串联.利用器件
英飞凌推出第二代 ThinQ! 碳化硅肖特基二极管 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管.新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能.而且采用全隔离封装.无需使用隔
Vishay推出新型高压ENYCAP™电解双层储能电容器 该器件在 +85°C和3 V最大额定电压下能够提供2000小时的使用寿命 日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出一系列新型高压ENYCAP™电解双层储能电容器---230 EDLC-HV ENYCAP.用于恶劣环境下的能量收集和电源备份