变频器大师课:实例教学与知识详解
TDK发布全新MT25系列热熔丝保护型压敏电阻 TDK研发全新的MT25系列热熔丝保护型压敏电阻.进一步扩展了TDK的爱普科斯 ThermoFuseTM产品家族.新的MT25元件采用注模工艺.结构非常紧凑.具有较大的通流能力 Imax:20kA/In:10kA (8/20uS).并具有优秀的失效脱扣能
AVX得到MIL-PRF-49470合格零件单批准 AVX得到MIL-PRF-49470合格零件单 (QPL) 的批准扩展其为军事及航空航天应用提供的开关电源 (SMPS) 电容器AVX新的25V未封装.采用X7R电介质.堆叠式SMPS电容器得到T-等级MIL-PRF-49470 QPL资格以及是多种军事.太空.
安森美半导体推出过压保护器件NCP362 安森美半导体(ON Semiconductor)推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电(ESD)保护的过压保护(OVP)器件--NCP362.用于便携.电信.消费和计算系统中的USB 2.0应用. 这集成器件加强USB端口的安全性.简化便携
Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E.Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%.为通信.工业和
电路基础知识(四)中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件.半导体特殊器件.复合管.PIN型管.激光器件的型号命名只有第三.四.五部分)组成.五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管.3-三极管第二部
倡导源极底置新理念 ,英飞凌推出OptiMOS™25 V功率MOSFET 英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战.来实现系统创新和组件水平的改进.[源极底置"是符合行业标准的全新封装概念.英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET.它们是采用PQFN 3.3x3.3
Vishay发布新型Hyperfast和Ultrafast整流器 器件采用6种功率封装.提供4个不同的正向电压降与反向恢复时间的折中选项 宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 6 月 30 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布34款采用6种功率封装