线宽(linewidth)是光学专有名词,
波长λ=193nm 那线宽指的就是Δλ一般是几个到几十个波数(记不清了),
我知道题目的意思是,193nm 这么宽,怎么能刻出 45nm 的宽度呢,
他说的是分辨率,其他答主讲了很多,我简单看公式:
R,分辨率,就是你常看见的 180nm、130nm、90nm、65nm、45nm 之类,
λ,光刻激光的波长,已经从 436nm、365nm、248nm 到了现在最常用的 193nm,
n,为介质折射率,空气约 1,水约 1.44,
NA,为数值孔径,和镜子大小,以及距离有关,
k1,就当是个系统常数吧,把掩膜那些技术都算在这个里面,
从公式算,当然就是 k1 越小、λ越小、n 越大、NA 越大,越能获得小的 R 了,
现在的情况就是λ=193nm 的时候,R 可以做到 45nm,现在好像 22nm 都出来了?不确定,
其他都好理解,就是那个 k1 里面的各种技术很难,去看别的答主吧,有详细科普。
我不想讲掩膜的技术,因为我觉得讲不清楚,大概先给几个光刻相关的示意图:
以上看不懂的直接略过,因为我也不想看。
我对掩膜技术不感兴趣,但是我对这个光刻光源还是了解一些,
光刻光源的发展以前是这样设想的,
但是战局瞬息万变,
很正常的想法是先从 193nm 准分子激光(ArF 工作介质)发展到 157nm 准分子激光(F2 工作介质),
根据长期的使用经验,我是完全不看好的,157 简直太辣鸡,又娇贵能量又低,完全没有 193nm 皮实,这种真空紫外用起来很难受,实际上大家也都知道 157 很不皮实,可能真的没人会看好过...
现在已经完全没 157 什么事情了,直接跨越了这个波长,
要么自由电子激光(FEL),要么等离子体出 13.5nm,
自由电子激光很早就有人考虑过了,至少 2006 年 Intel 就有说,
当然现在由于国家大力发展 FEL,这个概念肯定更热,我不好说它不合适,毕竟 FEL 有它可调谐,波长可以非常短(X 射线都行,只要加钱产生更高能的电子)的优势。
我认为比较爽的还是用等离子体产生 13.5nm 的光,
简单来说,就是用二氧化碳激光器,打到靶材(锡,Sn)上,
等离子体当然是接近白光光谱很宽了,正好有个材料可以反射 13.5nm,
为啥是 13.5nm,也可以认为正好是这个反射的结果,
用图简单来说,就是这样,Laer produced plasma(LPP):
据我所知,应该已经做到 500W 了,
光源,始终是限制分辨率最直观的因素,
只有实在找不到更低的时候,才会去想办法弄各种掩膜,
以至于现在掩膜技术都精进到我很难简单科普出来了...
如果 13.5nm 普及,那真实碾压了,
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