近年来，随着国内积极发展集成电路产业以及市场需求提升，各地出现了不少晶圆生产线扩产项目及新项目，以下将盘点目前国内各地在建晶圆生产线项目情况——

北京

燕东微电子8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目（8英寸）

项目单位：北京燕东微电子科技有限公司

项目内容：燕东微电子8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目总投资48亿元，以研发自主可控的8英寸LCD驱动IC、LDMOS、IGBT等产品为主要目标，建成后将形成月产5万片晶圆芯片、年封装超过23亿只集成电路产品的产业化能力。

项目进展：2016年9月，燕东微电子正式启动8英寸集成电路研发产业化及封测平台建设项目；2018年6月，该项目主体结构FAB1厂房封顶；2019年6月25日，该项目迎来首台设备搬入。

赛莱克斯北京8英寸MEMS国际代工线建设项目（8英寸）

项目单位：赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

项目内容：赛莱克斯北京8英寸MEMS国际代工线建设项目总投资近26亿元，建设内容包括一座8英寸晶圆生产厂房以及研发楼，此外还将建设动力厂房、化学品库、危险品库、硅烷站等配套设施。该项目主要开展8英寸MEMS半导体晶圆加工工艺，项目最终达产后将形成年投片3万片/月的生产能力。

项目进展：2018年11月，赛莱克斯北京8英寸MEMS国际代工线建设项目进行主厂房上梁，有望在2019年12月建成通线，进行产品试生产。

无锡

华虹无锡集成电路研发和制造基地（一期）（12英寸）

项目单位：华虹半导体（无锡）有限公司

项目内容：华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩，总投资100亿美元，一期项目总投资约25亿美元，新建一条工艺等级90～65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路生产线，支持5G和物联网等新兴领域的应用。华虹无锡基地项目将分期建设数条12英寸集成电路生产线，首期项目实施后将适时启动第二条生产线建设。

项目进展：华虹无锡集成电路研发和制造基地项目（一期）于2018年3月2日正式启动建设，2019年6月6日实现首批光刻机搬入，预计将于2019年9月建成投片。

海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂房项目（8英寸）

项目单位：海辰半导体（无锡）有限公司

项目内容：海辰半导体是由SK海力士旗下晶圆代工厂SK海力士System IC公司与无锡产业发展集团有限公司合资建立，主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圆生产设备等有形与无形资产，无锡产业集团则主要提供厂房、用水等必要基础设施，规划月产能为10万片8英寸晶圆。

项目进展：海辰半导体新建8英寸非存储晶圆厂房项目于2018年5月23日开工，2019年2月28日厂房封顶。

淮安

德淮半导体年产24万片12英寸集成电路芯片生产线项目（12英寸）

项目单位：德淮半导体有限公司

项目内容：德淮半导体有限公司成立于2016年1月，总投资450亿元，项目首期预计投入120亿元，为年产24万片的12英寸晶圆厂，占地257亩，是第一家专注于CMOS影像传感器（CMOS Image Sensor，CIS）的半导体公司。

项目进展：2018年12月，报道称德淮半导体项目一期厂房工程顺利通过消防验收；今年3月，淮安日报报道称德淮半导体项目处于设备进场调试阶段。

江苏时代芯存相变存储器项目（12英寸）

项目单位：江苏时代芯存半导体有限公司

项目内容：江苏时代芯存相变存储器项目总投资130亿元，一期投资43亿元，占地276亩。全面建成后将达到年产10万片12英寸相变存储器的产能，预计年可实现销售45亿元，利税3亿元。

项目进展：江苏时代芯存相变存储器项目于2017年3月动工，2017年11月主厂房封顶，2018年3月工厂竣工运营；今年3月，淮安日报报道称该项目部分产品的前端工艺已在代工方投片，今年第三季度将正式下线。

中璟航天半导体全产业链项目（8英寸）

项目单位：江苏中璟航天半导体实业发展有限公司

项目内容：中璟航天半导体全产业链项目总投资120亿元，占地703亩。其中将建设2条年产24万片8英寸CMOS图像传感器晶圆厂，总投资60亿元，占地203亩，厂房面积为13.71万平方米，其中最大单体厂房面积为3.96万平方米，同时设立CMOS图像传感器设计公司以及相关封装测试厂和模组厂。

项目进展：中璟航天半导体全产业链项目于2017年12月10日正式开工奠基，目前正在建设第一条生产线。

武汉

长江存储国家存储器基地项目（12英寸）

项目单位：长江存储科技有限责任公司

项目内容：长江存储国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，项目总投资240亿美元，占地面积1968亩，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。该项目将分三期建设，其中一期项目产能规划为10万片/月，整个项目完成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

项目进展：长江存储国家存储器基地项目（一期）于2016年12月30日正式开工建设，2017年9月一号生产及动力厂房，2018年4月生产机台正式进场安装，32层3D NAND闪存芯片已研发成功，预计将于今年年底量产64层3D NAND闪存芯片。

武汉弘芯半导体制造项目（12英寸）

项目单位：武汉弘芯半导体制造有限公司

项目内容：武汉弘芯半导体制造有限公司是目前全国半导体逻辑制程单厂中投资规?模最大，技术水平最先进的12英寸晶圆片生产基地。其中项目一期设计月产能4.5?万片，预计2019年底投产；二期采用最新的制程工艺技术，设计月产能4.5万?片，预计2021年第四季度投产。?

项目进展：媒体报道称，弘芯半导体项目一期、二期相继于2018年4月、2018年9月开工；2019年7月4日，武汉弘芯半导体制造项目103厂房主体结构封顶。

上海

积塔半导体特色工艺生产线项目（8英寸&12英寸）

项目单位：上海积塔半导体有限公司

项目内容：积塔半导体特色工艺生产线项目占地面积23万平方米，项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

项目进展：积塔半导体特色工艺生产线项目于2018年8月正式开工，2019年5月21日该项目厂房结构封顶，力争今年年底前完成设备搬入。

天津

中芯国际天津产能扩充项目（8英寸）

项目单位：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司

项目内容：中芯国际天津产能扩充项目是对中芯国际天津晶圆厂原有产能4.5万/月产能的8英寸集成电路生产线进行产能扩充，该扩建项目预计投资金额15亿美元，项目全部达产后，中芯天津8英寸晶圆月产能将达15万片，产品主要应用方向包括物联网相关、指纹识别、电源管理、数模信号处理、汽车电子等。

项目进展：2016年10月，中芯国际正式启动中芯天津产能扩充项目；2017年7月，该产能扩充项目中体量最大的单体项目T1B主生产厂房正式破土动工；2018年4年，T1B主生产厂房正式封顶，2018年7月首台设备进驻。

南京

紫光南京集成电路基地项目一期（12英寸）

项目单位：南京紫光存储科技有限公司

项目内容：南京紫光存储器生产线项目将分为一期、二期、三期三个建设阶段，本项目建设阶段为一期，是紫光集团的第2条存储芯片生产线。本项目将建成12英寸（3D NAND）存储器生产线，并开展存储器及关联产品（模块、解决方案的研发、制造和销售），设计产能为10万片/月。

项目进展：紫光南京集成电路基地项目一期已于2018年9月30日进行桩基工程开工，根据规划，2019年该项目将进行主体施工建设。

成都

紫光成都集成电路基地项目（一期）（12英寸）

项目单位：成都紫光国芯存储科技有限公司

项目内容：紫光成都集成电路基地项目（一期）总投资702.31亿元，主要新建1条12英寸晶圆代工生产线，主要从事12英寸存储器芯片3D NAND生产，本项目建成后，将形成年产12英寸存储器芯片（3D NAND Flash储存器芯片）120万片的生产能力。

项目进展：紫光成都集成电路基地项目（一期）于2018年10月正式开工建设。

青岛

芯恩（青岛）集成电路项目（8英寸&12英寸）

项目单位：芯恩（青岛）集成电路有限公司

项目内容：芯恩（青岛）集成电路项目是中国首个协同式集成电路制造(CIDM)项目，总投资约150亿元，该项目建成后可实现8英寸芯片、12英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产。其中一期总投资约81亿元，将新建8英寸集成电路生产线1条、12英寸集成电路生产线1条、光掩膜版生产线1条，规划年产8英寸芯片36万片、12英寸芯片3.6万片、光掩膜版1.2万片。

项目进展：2018年5月，芯恩（青岛）集成电路项目一期正式开工，项目计划2019年底一期整线投产、2022年满产。

重庆

重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片