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在可靠性设计中，工程师需要根据要求在栅极添加上拉电阻，并对系统进行安全防护。其中，最普遍的做法就是在NMOS栅极和PMOS栅极上进行上拉电阻添加了。然而，如果在设计过程中没有考虑到电阻开路的问题，那么原本能够为安全性能保驾护航的上拉电阻，则很可能会变成MOS管过热破坏者。
下图是一张在设计应用中比较常见的图纸，分别针对PMOS和NMOS栅极设置进行了区分。就让我们来看一下，在MOS图纸设计中应该怎么避免上拉电阻成为MOS管过热的杀手吧。
（图1）
大家都知道上拉电阻在电路工作稳定性方面，具有出色的工作效果。像上图中电路图的情况，上拉电阻的位置还是接在内侧比较好。这样的设计可以使上拉电阻起到放电作用，可防止在驱动电阻开路时MOS栅极浮接，这也就是为什么上拉电阻有时候又被叫做放电电阻。而同样是这张电路图，如果上拉电阻的位置被安排在外侧，那么只要两个电阻中的一个开路，那么NMOS就容易遭到损坏，对整体的电路稳定性和安全性也会造成比较大的威胁。
可能看到这里，有的朋友会感到疑惑：上拉电阻能够对电路的整体稳定性起到保障作用，放在外侧跟放在内侧都是起整体稳定效果的，为什么放外侧时反而MOS管容易遭到损坏呢?其实原因很简单，MOS管G极在悬空时是很容易受到干扰的。此时如果将上拉电阻放在外侧然后导通，就很可能会产生极大的电流，MOS管在高电流下很容易因过流过热而受到损坏。
编者按：依据上拉电阻的放电特性进行设置，可以保护MOS管的正常工作，并维持电路的整体稳定性。在进行图纸设计时，工程师需要结合实际情况和电阻的特性，进行合理分配设置。
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