本文介绍stm8s103f3这款单片机的eeprom的用法。

EEPROM是单片机应用系统中经常会用到的存储器，它主要用来保存一些掉电后需要保持不变的数据。在以前的单片机系统中，通常都是在单片机外面再扩充一个EEPROM芯片，这种方法除了增加成本外，也降低了可靠性。现在，很多单片机的公司都推出了集成有小容量EEPROM的单片机，这样就方便了使用，降低了成本，提高了可靠性。

1.介绍STM8S103F3的首地址及容量。

STM8单片机芯片内部也集成有EEPROM，容量从640字节到2K字节。最为特色的是，在STM8单片机中，对EEPROM的访问就象常规的RAM一样，非常方便。EEPROM的地址空间与内存是统一编址的，地址从004000H开始，大小根据不同的芯片型号而定。

stm8s103f3的EEPROM存储结构如下：

由上图可知，EEPROM的大小为0x00427f-0x004000+1=0x280=640bytes。

2.介绍EEPROM的解保护寄存器。

向该寄存器先写入0XAE,然后写入0X56就可以解除解保护。想该寄存器读操作时，会返回0；

3.FLASH状态寄存器

需要注意的是bit3,bit3为EEPROM区域解锁标记，0表示保护使能，1表示保护失效。向FLASH_DUKR中写入解锁数据后通过查看FLASH_IAPSR寄存器的bit3来确定EEPROM区域已经解锁。

bit2表示编程结束标志。对EEPROM区域进行写操作后需要判断该位来确定已经写操作成功。

下面设计两个程序程序，第一个程序给EEPROM中的004000H位置写入一个值01H，少写入Flash中。第二个程序先读出004000H位置的值，然后给该值加1，再写入到004000H位置，也即是说每次上电时，004000H位置的值会加1。同时为了观察现象，在第二个程序中设置了一个LED灯，通过灯的亮灭次数来表示当前004000H位置的值。

第一个程序：

1 #include "iostm8s103f3.h"

2

3 void main()

4

5 {

6

7 unsigned char *p;

8

9 unsigned int i;

10

11 p = (unsigned char *)0x4000; // 指针p指向芯片内部的EEPROM第一个单元

12

13 // 对数据EEPROM进行解锁

14

15 do

16

17 {

18

19 FLASH_DUKR = 0xae; // 写入第一个密钥

20

21 FLASH_DUKR = 0x56; // 写入第二个密钥

22

23 } while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0); // 若解锁未成功，则重新再来

24

25 *p=1; // 写入第一个字节

26

27 while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待写操作成功

28

29 }

第二个程序：

1 #include "iostm8s103f3.h"

2 unsigned char ch;

3 void delay (unsigned int times)

4 {

5 unsigned int i,j;

6 for(j=0;j

7 for(i=0;i<65535;i++);

8 }

9 void main()

10 {

11 unsigned char *p;

12 unsigned int i;

13 p = (unsigned char *)0x4000; // 指针p指向芯片内部的EEPROM第一个单元

14 // 对数据EEPROM进行解锁

15 ch=0;

16 PD_DDR = 0x10;

17 PD_CR1 = 0x10;

18 PD_CR2 = 0x00;

19 do

20 {

21 FLASH_DUKR = 0xae; // 写入第一个密钥

22 FLASH_DUKR = 0x56; // 写入第二个密钥

23 } while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0); // 若解锁未成功，则重新再来

24 *p = *p+1; // 写入第一个字节

25 while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待写操作成功

26 ch=*p; // 将写入的内容读到变量ch中

27 for(i=0;i

28 PD_ODR = 0x00;

29 delay(4);

30 PD_ODR=0X10;

31 delay(4);

32 }

33 }

第二个程序下载完成之后，对开发版进行断电和上电操作，上电后PD4所对应的LED灯就会闪烁，闪烁次数代表*p位置的值的大小。