图1：DDR2 DIMM连接器

DDR2 是现有 DDR 标准的改进版本，可轻松应对目前速度最快的 400MHz 至 500MHz DDR 所面临的巨大挑战。与 DDR 相比，DDR2 可在相同总线频率下将数据速率提高一倍，因而可有效增加数据带宽或容量。DDR2 可提供比目前最快的 DDR（约 3.2GB/s）更出色的数据吞吐。这一内存技术催生了新一代更高性能电脑系统的问世，其中包括台式电脑、工作站、服务器、便携设备以及路由器和交换机等新型通讯产品。

Molex 支持 DDR2 标准，并且是 JEDEC 的积极成员，致力于开发新一代的内存平台。Molex DDR2 内存插座可接受 MO-237 JEDEC 型号的 DDR2 标准模块。 Molex 可充分满足高数据吞吐量应用和要求，并始终致力于高速连接器的开发，可确保连接器设计以最低的应用成本提供最出色的可靠性能。

DDR3 DIMM 插槽

DDR3 DIMM 内存模块插槽为要求严苛的存储器应用提高了数据带宽和性能,DDR3 必然会在未来的计算架构中成为现有 DDR2 技术的替代品。

图2：DDR3 DIMM 插槽连接器

DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR2 DIMM则采用240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR3 DIMM同为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR2 DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR2 DIMM稍微有一些不同，因此DDR3内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR3 DIMM的，因此在一些同时具有DDR2 DIMM和DDR3 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。

miniDIMM

Molex 是 miniDIMM 连接器的领先开发商。此连接器采用 0.60 毫米的间距和高度可靠的触点设计，是高端应用中颇受欢迎的解决方案。

图3：miniDIMM连接器

JEDEC 标准 0.60 毫米（.024 英寸）间距插座常用于小尺寸电脑和小尺寸服务器中，其中包括 1U、刀片服务器以及高可靠性的网络路由器。Molex 在现有的垂直 miniDIMM 插座基础上增加了标准和反向配置的弯角和直角型号。

据 Molex 预计，miniDIMM 模块将在众多应用领域中得到广泛运用，尤其那些需要在高可靠性设备中提供 ECC 的应用更是如此。类似模块还可用于面向电脑和服务器并采用 DIMM 型锁闩的垂直和弯角连接器中。

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全缓冲 DIMM

Molex 的全缓冲 DIMM (FB DIMM) 开发动力是市场对更大更快内存容量的需求。

图4：全缓冲 DIMM

DDR DIMM

1.27 毫米（0.050 英寸）间距双数据速率 DIMM。这种 184 线 DIMM 插槽可提供垂直式和倾斜式。插接JEDEC MO-206 模块。

图5：全缓冲 DIMM

DIMM

DIMM 是一种双列直插式内存模块，内含旨在存放内存芯片的小型电路板。它是一种通常在个人电脑中用于提高可靠性、速度和内存系统密度的内存技术。

图6：全缓冲 DIMM

Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V（使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外），适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM内存芯片），二者不能混合使用。

S.O. DIMM

200 电路 DDR/DDR2 SODIMM 插座可为笔记本电脑设计者提供良好解决方案。其轻薄外形可令笔记本电脑设计者采用更小的机箱，从而进一步开发更轻更小的笔记本电脑。DDR (2.5 V) 和 DDR2 (1.8 V) 型号的 SODIMM 插座几乎完全相同，区别仅在于电压键的位置有所不同。这样可有效防止将错误的存储模块类型与插座配插。DDR2 是 DDR 内存技术的升级版本。它速度更快，可提供更高带宽、更低能耗和更出色的热量管理性能。

图7：全缓冲 DIMM

Molex 是负责制定存储器行业标准的 JEDEC 工作小组的积极成员。DDR/DDR2 SODIMM 插座可接受符合 JEDEC MO-224 轮廓线要求的模块。产品采用无铅镀层，并符合 RoHS。

FB-DIMM

因为目前的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为目前的DIMM采用一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构。

在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是目前基于此类并行体系的内存如DDR频率低下的原因。