FDS6900AS双N沟道MOSFET-EDA365

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FDS6900AS双N沟道MOSFET

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沟道

FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8 MOSFET和肖特基二极管，为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压。 FDS6900AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。高端开关(Q1)的设计特别强调降低开关损耗，而低端开关(Q2)则强调降低导通损耗。 Q2还包含使用飞兆的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

产品详情

PowerTrench174;SyncFET8482;双MOSFET，飞兆半导体旨在最大限度地降低功率转换损耗，同时保持出色的开关性能高性能沟槽技术，实现极低的RDS（on）SyncFET™，从高效的肖特基体二极管中受益同步整流DC-DC转换器，电机驱动器，网络负载点应用低侧开关MOSFET晶体管，飞兆半导体

飞兆半导体提供大量MOSFET器件，包括高压（> 250V）和低压（<250V）类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，并将其集成到多个行业标准和热增强型封装中。

飞兆半导体MOSFET提供卓越的设计可靠性，包括降低电压尖峰和过冲，降低结电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部元件，从而延长系统的运行时间。

属性

频道类型ñ

最大连续漏极电流6.9 A，8.2 A

最大漏极源电压30 V

最大漏极源电阻22mΩ，27mΩ

最小门限阈值电压1V

最大栅极源电压-20 V，+ 20 V.

包装类型SOIC

安装类型表面贴装

晶体管配置系列