与倒相器设计有关的参数大致有三类： 第I类叫作“选定参数”，是指那些在一定条件下，不可能大幅度调整而需预先确定的参数。例如：μ，tox，λ，Ron，xj，L，VDD，VGG，VBS，Js等。 第Ⅱ类叫作“可控参数”，是指那些可在一定范围内加以控制的参数。例如：NB，γ，VT等。 第Ⅲ类叫作“电路参数”，是指那些由用户提出的、标志电路性能要求的参数．例如：高低电平、直流传输特性、噪声容限、负载能力、上升和下降时间、功率耗散和占用管芯面积等。

倒相器的设计，通常是先确定“选定参数”和“可控参数”，然后再从某些电路参数的要求出发进行设计计算。计算结果若不能全面满是原来提的要求，再进行修改直至全面满足要求为止。设计的最终目标是获得可控参数数值和倒相器中管子的尺寸。

倒相器的设计，通常是先确定“选定参数”和“可控参数”，然后再从某些电路参数的要求出发进行设计计算。计算结果若不能全面满是原来提的要求，再进行修改直至全面满足要求为止。设计的最终目标是获得可控参数数值和倒相器中管子的尺寸。在一定的工艺条件下，倒相器的设计，关键是对晶体管的尺寸(W／L)的设计，并由确定的沟道长度L，获得沟道宽度的具体数值。可以应用上升时间tr（19）与下降时间tf（20）公式计算器件的宽长比(W／L)。当输出信号的幅度变化只能从 0.1VDD~0.9VDD时，则输出信号的周期就为上升与下降时间之和，且信号成为锯齿波，这时所对应的信号频率被认为是倒相器的最高工作频率。

在实际的设计中，通常要预留一定的设计余量，当确定了信号的最高工作频率要求后，在考虑了余量后就可以获得上升时间与下降时间的数值，根据工艺提供的器件的阈值电压数值、栅氧化层厚度等参数，即可以计算倒相器的NMOS和PMOS晶体管的具体尺寸。

通常在设计倒相器时，要求输出波形对称，也就是tr=tf，因为是在同一工艺条件下加工，NMOS和PMOS的栅氧化层的厚度相同，如果NMOS和PMOS的阈值电压数值相等，则KP=KN。由导电因子的表达式可以得到如下结论：此时的 。

由此可以得到一个在这种条件下的简便计算方法：只要计算tf， 并由此计算得到NMOS管的宽长比(W/L)N，将此值乘2.5就是PMOS管的 (W/L)P，反之也行。

[例题]设计一个倒相器，要求tr=tf=25ns，VTN=1V，VTP=－1V，VDD=5V，栅氧化层厚度为50nm， 负载电容CL=2pF，试计算NMOS管和PMOS管的宽长比(电子迁移率取μn=600cm2/V·s)。 解 由所给参数，得到αN=0.2，根据ε0和εSiO2的数值以及栅氧化层的厚度，可以计算得到单位面积栅电容Cox=6.9×10-8F/cm2，本征导电因子K’N=2.07×10-5A/V2，将的αN值代入式(4-20)，得

最后得到(W/L)N=1.43，近似取值2。将NMOS的宽长比乘2.5，得 (W/L)p=2.5(W/L)N=5