高电容率薄膜电容器封装面向10GHz芯片-EDA365

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高电容率薄膜电容器封装面向10GHz芯片

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阿尔卑斯电气和North日前宣布，正在联合开发在LSI封装的内部底板中封装高电容率薄膜电容器(Thin Film Capacitor)的技术。目标是三年内将其应用于产品中。阿尔卑斯电气认为“工作频率在数GHz～10GHz以上的高速逻辑LSI必须使用这种技术”。此次开发的技术就是指将过去封装在LSI封装外部的去耦电容器(Decoupling Capacitor)封装到内部。由此将会最大限度地缩短电容器与倒装芯片之间的距离。由于封闭内部布线的寄生感应(Parasitic Inductance)减小了，因此开关时就可迅速向倒装芯片供应电荷。结果就能使电源电压更加稳定。面向微处理器和芯片组的电容器内置型底板的试产已经完成。即将开始客户测试。底板中内置的薄膜电容器的材料和相对电容率 (Relative Permittivity)没有公布。“在薄膜电容器的容量方面，尚未达到完全满足客户要求的水平。不过，可在将来产品中使用了材料方面已经有了眉目”（阿尔卑斯电气）。据阿尔卑斯电气称，之所以选择North进行联合开发，原因是该公司的印刷电路板技术非常适合高速LSI。因为North的技术在布线层之间的连接材料上使用的是非焊膏材料的散装铜焊接凸起。比如“ALIVH”和“B2it”等现有印刷电路板，布线层之间的连接材料分别使用的是铜和银类焊膏材料。普通焊膏材料的电阻率比散装金属材料高数十倍。在保持相同的感应和电容条件下，电阻率越高、信号延迟时间就越长。因此就很难进行高速传输。

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