奈梅亨，2020 年 12 月 9 日：基本半导体专家 Nexperia 今天推出了新的 AEC-Q101 认证的重复雪崩专用 FET（ASFET）产品组合，专注于动力总成应用。该技术已经过十亿次雪崩循环测试，可用于控制汽车感应负载，例如螺线管和执行器。除了提供更快的关闭时间（最高 4 倍）之外，还可以通过减少 BOM 数量来简化设计。

用于汽车动力总成中螺线管和执行器控制的基于 MOSFET 的电源方案通常围绕升压，续流二极管或有源钳位拓扑构建。第四个选择是重复性雪崩设计，它利用 MOSFET 在关闭期间反复处理来自感性负载的电流的能力来耗散来自感性负载的能量。这种设计具有与有源钳位替代产品相当的效率，从而消除了对二极管和其他器件的需求，从而最大程度地减少了元件数量和电路复杂性。它们还支持更快的关断时间，这可以延长电磁阀和继电器等机电组件的可靠性。到目前为止，只有使用过时的平面技术才有可能做到这一点。Nexperia 汽车重复雪崩 ASFET 产品家族是专门为解决此问题而开发的，它可以保证经过十亿次循环测试的重复雪崩功能。此外，与增强型拓扑相比，由于可以减少多达 15 个板级组件，它们可以提供高达 30％的组件占位效率，从而简化设计。

新型 MOSFET 在 175°C 时完全符合 AEC-Q101 的汽车标准，提供 40 V 和 60 V 选项，典型 RDS（ON）额定值为 12.5mΩ至 55mΩ。所有器件均采用该公司节省空间的 LFPAK56D（Dual Power-SO8）铜夹封装技术提供。高度坚固的封装具有鸥翼形引线，从而提高了板级可靠性，并改善了可制造性，包括自动光学检查（AOI）。

向 Nexperia 产品经理 Richard Ogden 解释说：“通常，想要实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依靠使用较旧的平面半导体技术的设备。为汽车级设备提供基于更高性能硅结构的，具有保证的重复雪崩功能的设备，将增加可利用重复雪崩功能的动力总成设计的数量。”

有关包括快速学习视频在内的更多信息，请访问 www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/automotive-asfets-for-repetitive-avalanche

Nexperia 于 2020 年初推出了其专用 FET（ASFET）系列，以响应业界对最大化性能的需求。ASFET 具有一组针对特定应用进行了优化的 MOSFET 参数。通过专注于一种应用，可以提供显着的改进。其他可用的 ASFET 系列可解决热插拔，以太网供电（PoE），电池保护和电机控制应用。有关更多详细信息，请访问 www.nexperia.com/asfets