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晶圆切割（即划片）是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序，在晶圆制造中属于后道工序。晶圆切割就是将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒）。
最早的晶圆是用切片系统进行切割（划片）的，这种方法以往占据了世界芯片切割市场的较大份额，特别是在非集成电路晶圆切割领域。钻石锯片（砂轮）切割方法是较为常见的晶圆切割方法。新型切割方式有采用激光进行无切割式加工的。
晶圆切割工艺流程主要包括：绷片、切割、UV照射。
晶圆切割将一个晶圆上单独的die通过高速旋转的金刚石刀片切割开来，形成独立的单颗的晶片，为后续工序做准备。晶圆切割需要用到特定的切割机刀片。
绷片是一个切割前的晶圆固定工序，在晶圆的背面贴上一层蓝膜，并固定在一个金属框架上，以利于后面切割。
切割过程中需要用去离子水（DI纯水）冲去切割产生的硅渣和释放静电，去离子水由专业制备的小型设备「纯水机」制备。
UV照射是用紫外线照射切割完的蓝膜，降低蓝膜的粘性，方便后续挑粒。
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