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据日经BP社报道，恩智浦-台积电研究中心（NXP-TSMC Research Center）近日开发出了把尖端CMOS LSI的布线中使用的材料用于MEMS元件封装的方法。该方法在把可动部的某个MEMS元件封入空穴的封装工艺中，使用了尖端LSI布线层中使用的low-k材料，从而把MEMS元件固有封装工艺向现有CMOS制造工艺靠近的技术。
将low-k材料应用于尖端LSI上，利用介电率低的特性，抑制层间的结合，从而实现高速传输的布线。而应用于MEMS封装时，则是利用多孔特性。具体来说，是将多孔特性应用于牺牲层蚀刻。MEMS元件的封装是在MEMS部周围形成空穴。在空穴上设置盖子、以覆盖此前形成的牺牲层，在这一盖子上设置间隙，从而对牺牲层进行蚀刻。把多孔材料作为上述盖子使用的话，便可通过气相蚀刻除去牺牲层，进而在上面进行非多孔材料的成膜，实现气密封装。工艺过程可使用台积电的生产线实现。
气相蚀刻过程中使用HF，多孔材料的蚀刻速度仅0.14nm／分。因此，牺牲层的二氧化硅对多孔材料具有充分的选择性。例如，多孔的密度仅有7％的话，气密封装材料将无法进入空穴内部。另外，此 次使用的low-k材料为美国应用材料（Applied Materials）的“Black Diamond”。
该公司计划把此次的封装技术最先应用于硅振荡器的封装。
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