3 软件设计

MSP430的开发软件较多，本文采用IAR公司的集成开发环境—IAR Embedded workbench 嵌入式工作台，利用C430（MSP430系列的C语言）编写调试。单片机对FLASH的操作主要有写、读、擦除。

3.1 写操作

向FLASH内部写数据是基于页的，K9F1G08U0M的命令字、地址和数据都是通过并行口线I/O0—I/O7在控制信号的作用下分时操作。地址A0—A10，A11—A26通过I/O0—I/O7分4次送入。同时K9F1G08U0M芯片提供了一根状态指示信号线，当该信号为低电平时，表示FLASH可能正处于擦除、编程或读操作的忙状态；而当其为高电平时，则表示为准备好状态，此时可以对芯片进行各种操作。本系统须写入126M数据写操作流程图如图2。

3.2 读操作

读操作有串行页读、连续行读、随机读3种类型。在此选用串行页读取。首先将读操作控制字00h输入，再写入地址，写入控制字30h，待 信号变高后，将本页数据依次读出。随后再改变页地址读出其它页内数据。操作流程图如图3。

图2 写操作流程图                  

图3  读FLASH数据程序流程图

3.3 擦除操作

任何FLASH器件的写入操作都必须在空的或已擦除的单元内进行，因此在进行下一次存储数据之前都必须对FLASH进行擦除操作。

擦除操作基于块，K9F1G08U0M内有1024块，块地址的输入需要两个周期，块操作的地址只有A18—A27有效，A12—A17备忽略。在地址后被送入的块擦除命令（D0h）启动块擦除操作，待 信号变高后，送入命令字70h，读出I/O0的值来判断数据擦除是否成功。图4为块擦除流程图。

图4  擦除FLASH程序流程图

4 程序设计

在此给出写操作部分程序，读操作和擦除操作均可参考文中流程图来编程，值得注意的是其它具体写地址操作应仔细阅读

K9F1G08U0M芯片资料。

#include

#define   CLE   BIT3   

#define   ALE   BIT3

#define   WE    BIT6

#define   CE    BIT4

#define   RE    BIT5

#define   RB    BIT7

void  ReadFlash();   //读FLASH子程序

void  WriteFlash();   //写FLASH子程序

void  inituart(void); //初始化异步串行通信

void  Write10h();  //写控制字10h子程序

void  WriteCommand(); //写命令字写地址

void  ClrFlash();    //擦除FLASH子程序

unsigned   int  k,i,a

void  main ()

{

  WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;

  BCSCTL1 &= ~XT2OFF;

do

  {

   IFG1 &= ~OFIFG;

   for (iq0=0x05; iq0>0; iq0--);

    }   //检验晶振是否起振

while ((IFG1 & OFIFG)!= 0);

  BCSCTL2 = SELM_2 + SELS + DIVS0;

//SMCLK选择2分频后的4M

While(k<0xFC00) //页数<64512时执行

 {

WriteCommand(); //调用写控制字写地址子程序

While(i<2048)   //字节数<2048时执行循环

{

 WriteFlash();  //调用写数据子程序,

32个字节

 i=i+32;      //字节数+32

}

i=0;      //一页写完后,字节数置0

Write10h();  //调用写10h子程序

while(!(P2IN & RB));  //等待RB信号变高

k++;      //页数+1

} 

k=0;      //页数置0

LPM4;    //全部写完后，MSP430进入低功耗模式4

5         结束语

MSP430系列单片机具有实时处理能力强、运行速度快、性价比高等特点。本文介绍了FLASH K9F1G08U0M在由MSP430F149组成的嵌入式系统中的应用，实验表明：整个系统简单可靠、功能完善、运行稳定，具有实用价值。本文作者创新点：实现了MSP430单片机和NAND Flash两种低功耗芯片在嵌入式系统中的应用，完成了对FLASH的写操作、读操作及擦除操作，达到了系统的微体积和低功耗特性。

参考文献

[1] 沈建华. MSP430系列16位超低功耗单片机原理与应用. 北京：清华大学出版社，2004

[2] 胡大可. MSP430系列FLASH型超低功耗16位单片机.北京：北京航空航天大学出版社，20012

[3] 胡大可. MSP430系列单片机C语言程序设计与开发. 北京：北京航空航天大学出版社，2002

[4] 陈茂勇，基于MSP430单片机的智能无功补偿控制器的设计，微机算计信息，2005年，第5期，32—33页

[5]http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html.