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一文解析单片机中EEPROM和FLASH的区别

发布时间:2021-03-30 发布时间:
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  1.EEPROM介绍

  Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器

  发展过程:ROM – 》 PROM –》 EPROM –》 EEPROM

  2.EEPROM和FLASH的区别

  2.1 使用上的区别

  FLASH用于存放程序,在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到FLASH中的;

  RAM用作程序运行时的数据存储器;

  EEPROM用于存放数据,是用来保存掉电后用户不希望丢的数据,开机时用到的参数。运行过程中可以改变。

  FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次,而且通常FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序,通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次,而且可以按字节擦写。EEPROM在一个PAGE内是可以任意写的,FLSAH则必须先擦除成BLANK,然后再写入,而一般没有单字节擦除的功能,至少一个扇区擦除。

  2.2 结构上的区别

  EEPROM和FLASH都是非易失性存储器。

  FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同。

  FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。

  3.EEPROM的使用方法

  AVRGCC里面自带有EEPROM读写函数。

  使用时需包含头文件#include ,部分读写函数如下:

  #define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR, EEWE)//检测EEPROM是否准备好。OK返回1(返回EEWE位)

  #define eeprom_busy_wait() do {} while (!eeprom_is_ready())//等待EEPROM操作完成

  extern uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr);//读取指定地址的一个字节8bit的EEPROM数据

  extern uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr);//读取指定地址的一个字16bit的EEPROM数据

  extern void eeprom_read_block (void *buf, const void *addr, size_t n);//读取由指定地址开始的指定长度的EEPROM数据

  extern void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val);//向指定地址写入一个字节8bit的EEPROM数据

  extern void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val);//向指定地址写入一个字16bit的EEPROM数据

  通过串口向单片机发送配置命令,单片机收到指令后,利用函数write_EEPROM_config()将相应的配置信息存放于EEPROM中。系统初始化时,利用函数read_EEPROM_config()从EEPROM中取出相应的数据,用于系统的初始化。
责任编辑;zl


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