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由于比较器仅有两个不同的输出状态，零电平或电源电压，具有满电源摆幅特性的比较器输出级为射极跟随器，这使得其输出信号与电源摆幅之间仅有极小的压差。该压差取决于比较器内部晶体管饱和状态下的集电极与发射极之间的电压。CMOS 满摆幅比较器的输出电压取决于饱和状态下的MOSFET，与双极型晶体管结构相比，在轻载情况下电压更接近于电源电压。
输出延迟时间是选择比较器的关键参数，延迟时间包括信号通过元器件产生的传输延时和信号的上升时间与下降时间，对于高速比较器，如MAX961、MAX9010-MAX9013，其延迟时间的典型值分别达到4.5ns 和5ns，上升时间为2.3ns 和3ns (注意：传输延时的测量包含了上升时间)。设计时需注意不同因素对延迟时间的影响(图2)，其中包括温度、容性负载、输入过驱动等因素。对于反相输入，传输延时用tPD-表示;对于同相输入，传输延时用tPD+表示。TPD+与tPD-之差称为偏差。电源电压对传输延时也有较大影响。
图2. 外部因素对传输延时的影响
有些应用需要权衡比较器的速度与功耗，Maxim 公司针对这一问题提供了多种芯片类型供选择，其中包括从耗电800nA、延迟时间为30μs 的MAX919 到耗电6μA、延迟时间为540ns 的MAX9075;耗电600μA、延迟时间为20ns 的MAX998 到耗电11mA、延迟时间为4.5ns 的MAX961;从耗电350μA、传输延时25ns 的MAX9107 到耗电900μA、传输延时5ns的MAX9010 最近推出的MAX9010 (SC70 封装)，其延迟时间低至5ns 电源电流只有900μA，为产品设计提供了更多的选择。如需超高速、ECL 或PECL 输出、延迟500ps 的比较器，请参考MAX9600/MAX9601/MAX9602。
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