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GaN Systems（一家无晶圆厂的氮化镓功率开关供应商）推出了下一代绝缘金属衬底（IMS3）平台，该平台可用于其GaN增强模式高功率晶体管，应用于高效率汽车，数据中心和工业应用中。
IMS3平台具有显着改善的传热特性，从而降低了温度温度并提高了功率密度，使其成为在相同功率水平下实施更小，成本更低的系统的参考，或者在相同尺寸下将输出功率提高30％。
该平台由IMS3主板和半桥电源板组成，可提供两种功率级别，分别为3kW（GS-EVB-IMS3-66508B-RN）和6kW（GS-EVB-HB-66516T-RN） ）。半桥应用在高导热率，超低耐热性的IMS电路板上，以实现更好的热传递。通过高导热率，IMS3的Rth_Case到散热器的散热性能提高了29％。该板可与新的GS-EVB-HBDB-IMS优化的半桥隔离驱动器板一起使用，并且还与GSP665HPMB-EVBIMS2大功率全桥驱动器板兼容。
公司产品线总监Peter Di Maso说：“我们最新的具有很高热量传递的IMS评估平台，结合我们的GaN PX封装技术和灵活的设计方法，使电源系统工程师可以轻松地充分利用GaN及其在提供更多功率的同时降低系统成本的优势。”
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