该电路的核心包括一个哈特雷(Hartly)振荡器Q1。为减小负载，用一个10kΩ的电阻器将Q1的源极输出耦合至源极跟随器JFET Q2的高输入阻抗栅极上。然后，Q2驱动BJT（双极型晶体管） 射极跟随器Q3，该跟随器反过来又驱动 BJT 放大器Q4。环形磁芯变压器T1将Q4的输出耦合至50Ω负载，以提供2.61Vp-p或12.3 dBm。Spice电路仿真预计有一个幅度低于基频35dB的二次谐波。二次谐波幅度超过所有更高次的谐波幅度，且示波器测量显示出50Ω负载两端的看上去很干净的正弦波。

　　为给放大器提供良好的端接并仍可获得7.3 dBm（1.47 Vp-p），例如，要驱动一个二级管环形混频器，您可以在输出变压器T1与负载之间插入一个 50Ω的 5dB垫片。电阻R2用于调整射频输出电平，且为了提高稳定性，您还可以用低温度系数金属膜固定电阻器组成的固定电阻分压器来取代R2。Q4集电极的部分信号通过C7及R9驱动JFET源极跟随器Q5的栅极。二极管 D1对信号进行整流，该信号通过滤波后输入运放IC1的反相输入端。电阻器R1与低温度系数电位器R2将12V电源分路，来给IC1的正向输入端提供一个直流参考电压，并设定输入信号的电平。滤波后，IC1的直流输出驱动Q1的栅极2，以设定器件的增益进而控制射频输出。
 

　　可用连接至线圈L1中心抽头的微调电容C18来精确调整振荡器的频率。如果频率稳定性的降低程度可以接受，则可以用低成本的陶瓷微调器来代替C18。活塞型微调器价格相当昂贵且不如陶瓷微调器容易得到，但典型陶瓷微调器所展现出的温度系数至少要比活塞型微调器差一个数量级。为使振荡器在18MHz以外频率下工作，可将 L1的电感与C12、C13、C16、C17及C18增大18/fOSC2倍。其中，fOSC2为新的MHz频率。调整Q1源极连接的抽头，以便将其保持在从电感接地端开始的线圈总数的大约 20% 处。

　　您可以用一个13pF的电容器来代替由 C12及C13组成的串联电容器组，并可用一个2.5pF的电容器来代替C14与C15。如果您想要重新设计电路以获得不同输出频率，则可调整C14与C15或其单个电容器替换的电容值，以得到足够的电容量来确保在所有预期工作条件下能可靠地启动。但还应注意，使用两个电容器C16和C17与使用温度稳定（NP0 特性）的陶瓷介质电容器C12至C17一样，有助于减少启动漂移。缓冲放大器Q2至Q4需要进行改动，以便在大约 25 MHz以上的频率工作。

　　经过良好调整的外部直流电源（图中未绘出）可为电路提供 12V、-12V及8V 电压。为维持高度稳定并保持 Q1的 12V 最大漏－源电压指标，振荡器只能使用8V电源。在22℃恒定环境温度下并使用规定元件，在经过最初10分钟预热后，振荡器频率在1小时内的平均漂移速率为每分钟-2~-3 Hz。