与非网 7 月 3 日讯，继去年去年 8 月宣布开发新产品仅十个月后，SK 海力士近日宣布，将批量生产新一代 HBM2E，8 个 16Gb 单芯片堆叠，使其存储容量达到 16GB，与上一代相比，容量增大了一倍。

 

HBM（High bandwidth memory）被视为新一代 DRAM 解决方案，主要是与 GDDR 展开竞争，在消费类市场，AMD RX Vega、NVIDIA Titan V 等极少数产品应用了 HBM2，专业市场 AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla 的需求更大，但是成本是其普及的最大制约因素。

 

SK 海力士 HBM2E    图源：SK 海力士


SK 海力士新一代 HBM2E 基于 1024 数据 I/O，每个引脚达 3.6Gbps 的速度性能，最高拥有 460GB/s 的传输带宽，相当于有 1 秒钟内具有传输 124 个 FHD 高清级电影（3.7 GB）的能力。SK 海力士采用 TSV（硅通孔）技术，与现有封装方法相比，尺寸最多可减少 30%，功耗最多可减少 50%，同时也大大加快在数据上处理的速度。


 
HBM2E 可广泛应用于工业 4.0、高端 GPU 显卡、高性能超级计算机、机器学习、AI 人工智能等各种尖端领域。SK 海力士执行副总裁兼首席营销官 Jong-hoon Oh 表示：我们将领导第四次工业革命，并大规模生产 HBM2E，从而巩固我们在高端存储器市场中的地位。


 
除了 SK 海力士，三星在 2019 年发布新一代 HBM2E，每个引脚提供 3.2Gbps 数据传输速度，比上一代 HBM2 快 33%。2020 年 2 月三星 16GB 容量的 HBM2E“Flashbolt”成功进入市场，主要应用于高性能计算机系统、AI 数据分析和最新的图形系统。


 
SK 海力士也是历史上是第一个搞定了 HBM，并由 AMD 显卡首发，最初搭载于 R9 390X。三星也在积极准备 HBM2E，美光则模糊地表示会在年底之前推出新一代 HBM。

 

在全球 DRAM 市场，三星、SK 海力士、美光三家合计占据约 95%的市场份额，三星、SK 海力士纷纷投入 HBM2E 生产，美光也计划在 2020 年投入 HBM 技术的发展。