与非网 7 月 17 日讯，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）在其官方新闻中表示，自主研发的 50 纳米浮栅式（50nm Floating Gate）工艺代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产。

 

据了解，武汉新芯 50 纳米闪存技术于 2019 年 12 月取得突破，随后投入量产准备。从 65 纳米到 50 纳米的跃升，武汉新芯用了 18 个月。

 

NOR 闪存不同于 NAND 闪存，性能及容量全都落后于后者，但是可靠性高，目前主要用于各种嵌入式领域，比如车载电子、物联网等等，而武汉新芯是国内主要的 NOR 闪存供应商之一。

 

 

武汉新芯科技 XMC 公司研发的 50nm 工艺、浮栅极 NOR 闪存正式量产出货，容量 16Mb 到 256Mb，工作温度范围可达 -40℃到 105℃。

 

别小看 50nm 工艺，其实当前全球 OR 闪存主流工艺还停留在 90-65nm 工艺。这也意味着在 NOR 领域，武汉新芯科技公司成为中国乃至世界领先的 NOR Flash 供应商之一。不得不说新芯科技这次量产的 50nm 工艺 NOR 已经很先进了，未来可应用于物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

 

至少从现在来看，国产内存、闪存已经取得了不错的成绩，让中国存储看到了希望。中国手机品牌也将逐步摆脱国外内存的控制。