与非网 4 月 28 日讯，近日，长鑫存储技术有限公司与美国半导体公司 Rambus 签署专利许可协议。根据协议，长鑫存储从 Rambus 获得大量动态随机存取存储(以下简称“DRAM”)技术专利的实施许可。

长鑫存储董事长兼 CEO 朱一明表示：“与 Rambus 达成的协议再次表明，长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则，持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作，不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累，并以此为基础实现可持续发展，稳步提升市场竞争力。”

Rambus 总裁兼 CEO Luc Seraphin 表示：“在中国 DRAM 市场投资显著增长的背景下，长鑫存储脱颖而出，成为中国 DRAM 产业的引领者。我们高兴地看到长鑫存储走上 DRAM 产业的国际舞台。这份长期协议的签署为长鑫存储的业务发展提供权益保障，同时认可了 Rambus 广泛的存储技术专利组合的重要价值。”

了解到，去年 12 月 5 日，长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。 依据专利许可协议，长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于 2015 年 6 月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

此外，朱一明于去年 5 月透露长鑫用 14 个月即完成晶圆厂建设，一共花费 25 亿美金用在研发和资本支出。朱一明也强调合肥长鑫具有合规完善的技术来源，同时重视知识产权，长鑫共有 1 万 6 千个专利申请，同时公司获得了非常多的专利，并拥有独有的技术。

长鑫存储技术有限公司是中国第一家投入量产的 DRAM 芯片设计制造一体化企业，长鑫 12 寸存储器晶圆制造基地项目总投资 1500 亿元，共分三期进行，一期设计产能 12 万片 / 月，三期满产后产能可达到 36 万片 / 月。分析认为，DRAM 占存储器市场份额的 56%，1000 亿美金市场，中国是全球最大市场，但 95%份额被三星、海力士、美光占据，长鑫 DRAM 项目投产标志着我国拥有战略性元器件 DRAM 的自主生产能力。

美国 Rambus 公司虽然也是 NPE(Non-Practicing Entity，非专利执行实体)公司，但在内存技术上还是很有实力的，过去多年中三星、SK 海力士、Intel、高通、NVIDIA 等公司都跟他们签订了 DRAM 技术授权协议。