单片机控制大功率LED灯(解读)-EDA365

中

LM117 217 317(军工民)，VREF = 1.2 1.25 1.3V; 输入输出电压最小差为3V
1W LED功率:1W/PCS 电压:3-3.6V 光通量100 LM
2N7000
N沟道增强型MOSFET,在电路中像NPN三极管工作在饱和状态一样充当开关,单片机端口输出高电平时,G S间加正向电压大于开启电压,沟道导通,D S 间电压很小(0.45v),3个串联LED上的压降不足,灯灭. 反之,端口为低电平时,LED灯亮.
场效应管有二大类, JFET和MOSFET( 增强型和耗尽型),都有N 沟道 P沟道, 但在工程实践中, 后者主要用增强型MOSFET, 且广泛用于数字电路中充当开关.

一般用单片机端口输出PWM控制灯的变化.
若增加灯的数量,需提高外电源(15v) 电压

输入电压 = 输入输出最小压差3V +1.25V + 3.6V(发光二极管压降)*n(个)
1.25/4=310mA , 三端电压调整片最好加散热片.
参考：[30.Arduino.Projects.for.the.Evil.Genius].Simon.Monk

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单片机控制大功率LED灯(解读)

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