中国 / 法国贝宁，2020 年 7 月 7 日 - 半导体材料创新、设计和生产全球领军企业，法国 Soitec 半导体公司今日宣布与 Qualcomm Technologies, Inc. 签署合作协议，为其供应压电（POI）衬底以用于 4G 和 5G 射频滤波器。

协议指出 Soitec 将确保为 Qualcomm Technologies 公司新一代射频滤波器供应 POI 衬底

Soitec 已与 Qualcomm Technologies 合作多年，本次与其签订此协议，将为 Qualcomm Technologies 的射频滤波器大规模生产 POI 衬底，以用于智能手机射频前端模块。

“凭借我们突破式创新的薄膜式 SAW 技术，以及 Qualcomm®ultraSAW 射频滤波器产品，我们将继续突破移动技术的边界，”Qualcomm 高级副总裁兼射频前端业务总经理 Christian Block 表示，“与 Soitec 的协议对于确保高性能 POI 衬底的供应，以及满足 OEM 客户对高性能 Qualcomm® ultraSAW 射频滤波器产品的需求至关重要。通过 Soitec 基于 Smart CutTM 技术的 POI 衬底，与 Qualcomm Technologies 滤波器的设计和系统相结合，可以保证带有多滤波器功能的多工器芯片的高良率。”

Soitec 的 POI 衬底在射频滤波器上具有独特价值

POI 是通过 Soitec 专利技术 150 mm Smart CutTM 打造的创新型优化衬底。POI 以高阻硅作为基底、上覆氧化埋层，并以一层极薄且均匀的单晶压电层覆盖顶部。Soitec 的 POI 衬底用于构建最新一代的 4G/5G 表面声波(SAW)滤波器，具有内置温度补偿的性能。

“这项协议是 Soitec 和 Qualcomm Technologies 公司合作的结果。Soitec 的 POI 衬底现在是 Qualcomm Technologies 为移动设备提供的 5G 产品的重要组成部分，我们对此感到非常高兴。”Soitec 全球业务部门高级执行副总裁 Bernard Aspar 博士说，“Soitec 长期服务射频市场，有着丰富的经验，尤其是 RF- SOI 有着极高的出货量。基于我们强大的 Smart CutTM 技术，我们有信心能够大批量生产 POI 衬底，使其成为 5G 射频滤波器的标准材料。”