与非网 9 月 12 日讯，国内又一家第三代半导体材料公司投产氮化镓外延晶圆，第三代半导体在国内发展势头越来越猛。

 

耐威科技公布，公司控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(“聚能晶源”)投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件，于 2019 年 9 月 10 日正式投产。聚能晶源于同日举办了“8 英寸氮化镓外延材料项目投产暨产品发布仪式”。

 

聚能晶源位于青岛市即墨区，主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发和生产。该项目已投资 5,200 万元人民币，设计产能为年产 1 万片氮化镓外延晶圆，既可生产提供标准结构的 GaN 外延晶圆，也可根据客户需求开发、量产定制化外延晶圆。该项目的投产将有利于聚能晶源正式进入并不断开拓第三代半导体材料市场，同时有利于公司氮化镓功率与微波器件设计开发业务的发展，最终增强公司在第三代半导体及物联网领域的综合竞争实力。

 

公司氮化镓业务的发展需要进一步的资金、人员等资源的持续投入，聚能晶源的未来运营可能受到市场竞争、经营管理等诸多风险因素的影响，客户订单的增长及未来销售情况均存在不确定性，项目产能的释放也需要客观过程。聚能晶源将根据客户需求合理安排产能计划，预计该项目的投产将对公司未来的经营成果产生积极影响，但预计在短期内不会对公司的经营成果产生重大影响。

 

据悉，氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，稳稳地占领了理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面也拥有领先地位。

 

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