半导体磊芯片厂英特磊今（28）日召开股东会，总经理高永中提到，各国皆积极布建 5G 基础建设，包括台湾也加速释照时程，希望今年年底完成竞标、明年 1 月发照。因此，就市场需求来看，砷化镓与磷化铟的营运动能正蓄势待发。

 

高永中在会中表示，英特磊产品具有近程、中程及远程战略位置，未来 10 年全球电子产品应用重心将是 5G 及光电产品。

 

5G 方面，英特磊砷化镓产品主要用于高频通信应用的 pHEMT 芯片上，随 5G 时代来临、物联网相关的产业供应链也持续扩大，高永中乐观高频、高速、pHEMT 产品需求回温，他并指出，pHEMT 产品均已通过欧美大厂认证，营运动能看佳。

 

占第 1 季整体营收 44.3%的磷化铟主要应用在 5G 高频段手机功率放大器材料上，英特磊目前与大厂合作开发的毫米波功率放大器（PA）预计年底开始出货，用于 5G 手机中。同时，光通信元件市场如 25G APD 及 PIN 也因 5G 基础建设驱动而加快成长。

 

他强调，磷化铟 HBT、氮化镓 HEMT、面射型雷射与其他特殊雷射，在高速无线传输、手持装置、资料中心、云端运算、穿戴式传感器、Lidar 及泛用型感测等应用均扮演关键角色。此外，高永中也看好高均匀度磊晶 MBE 技术需求日益提升。

 

另外，高永中补充，随汽车防撞雷达、高频量测设备、10-25G APD、50GHz PIN 及 VCSEL 芯片等订单陆续升温，预估毛利率将受惠，获利也将成长。

 

展望 2019 年，英特磊在营业报告书中提及，面对中美贸易战不断增加不利因素，相信「危机亦是转机」，公司将积极开发产品，博取客户的信赖与产品订单，预估今年业务应可成长，交出漂亮的成绩单。

 

英特磊 2018 年合并营收为 6.5 亿元新台币（单位下同），较 2017 年下滑 26%，税后净利为 5140.1 万元，每股税后盈余 1.42 元。今股东会通过配发每股 1 元现金股利。