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该电子设备为300MHz频段专用的无线通信设备，EMC认证没有问题，但该设备自身工作并不正常，以前曾用频谱仪配近场探头测试过，发现在嵌入式射频发射电路板内FPGA处有较强的EMI辐射，造成底噪升高，使得该通信设备发射信号信噪比降低，影响通信质量。多次整改设计方案，效果不明显。
实测过程：
既然客户已经测试过EMI，我们首先用MDO进行验证，在0~330MHz跨度内测试该电路板EMI问题，果然发现底噪抬升明显，EMI问题十分严重。用近场探头逐点探测，的确在该电路板FPGA处底噪抬升最为明显，说明该电路EMI源自此FPGA。此FPGA面积不大，很容易屏蔽，因此通过EMC认证没有问题，关键是此电路板射频射频输出信噪比差自身特性受影响。由于FPGA是此电路板的心脏，一旦定型，很难改动，如果重新设计，等于是从头再来，不可接受。观察一段时间，我们发现该底噪抬升是随时间变化的，于是我们分别存储了底噪最高时和底噪最低时的两个结果如下：
此时为底噪较高时，达-65dBm。
此时为底噪较低时，最高底噪幅度不超过-80dBm。
对于幅度随时间变化的频谱，MDO的优势在于调制域分析，为此我们打开MDO幅度随时间变化曲线显示功能，用MDO射频功率触发得到如下测试结果：
从测试结果看，触发点处底噪幅度最高，在280MHz以及432MHz处达-59dBm。图中上半部分显示，突发幅度呈周期性变化，用MDO时域光标，可以测试出其周期为94uS。我们移动代表频谱分析时间段的橙色条到突发幅度右侧的几条线处，得到测试结果如下：
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