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激光二极管模组常常是配备了调制或衰减控制输入引脚，因而在LIV测试扫描中，可能需要加入2400型或2601型源表对衰减输入端施加偏置。
正向电压测试
正向电压由多子电流流动形成，因而是半导体材料和结温的函数。
正向电压测试可以在激光二极管和背光探测器上进行，用以确定半导体结的正向操作电压。一般地，2602型源表用以提供足够小的源电流（以防器件损伤），然后测量半导体结上的电压。鉴于探测器所用的半导体材料的温度系数一般为2mV/℃，半导体结的温度必须事前获知或进行控制。
反向击穿电压测试
随着反向偏压增加，少子穿过半导体结的速度增加。在一定的反向偏压下，载流子所携带的能量足以通过碰撞引起电离作用。这时的反向偏压称为反向击穿电压。通过很好的控制反向击穿电压下的电流，可以避免半导体结被毁坏。
反向击穿电压测试可以在激光二极管和背光探测器上进行。无损反向击穿电压测试可以通过提供-10μA源电流并测量相应的半导体结电压实现。2602源表是这一测量的理想选择。
漏电流测试
反偏的半导体结（略低于击穿电压的偏置电压下）会出现由少子渡过耗尽区产生的漏电流。漏电流的大小由电子电荷、掺杂浓度、半导体结面积和温度决定。激光二极管和背光探测器的漏电流测试由2602源表系统进行。一般，在半导体结上施加反向击穿电压的80%，然后测量相应的漏电流。
对于光电二极管，这项测试同时可用于暗电流测量。将激光二极管的偏置电压设置到零，通过在半导体结上施加一个电压偏置并测量流过的电流，可得到暗电流的值。在这项测量中，关键在于确保杂散光子不会碰撞到激光二极管或背光探测器上。
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