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关于差模和共模的区别，首先可以从功率上来入手，一般1MHz之前差模居多，1~5MHz差共模共存，5MHz之后共模居多。在输入端并上一个X电容，如果EMI明显变好，那就是差模影响。如果串共模电感有作用，那就是共模影响。
概念的区分
从概念上讲，差模干扰信号是两个输入电源线间反方向构成的电流回路信号;共模干扰信号是两个输入线上同方向与大地构成的电流回路信号。
简单来说，差模就是某种信号在回路间传输时回路的两条干线上信号相位相反，失量和为零。共模是两条干线上的信号相位相同，共同与中性线或大地(包括机壳及外在的大型电导体等)形成回路。差模一般集中在低频，高频也会有差模成份，只不过由于分布参数的作用，差模的信号会串到另一条干线，形成共模，频率越高，作用越强。
一般对CE的信号才区分差模和共模，RE信号不存在差模和共模这么一说。共模信号指信号在信号线和回线对地方向相同。差模信号指信号在信号线和回线对地方向相反。实际测量可以使用差模、共模分离网络确定。或者直接断开地线，减小的部分为共模，剩下的为差模(5M以前)，高频的基本都是共模。
通过对功率的判断以及概念的区分，相信在阅读过本文之后的大家对于共模与差模的区分已经有了一定的认识。在功率方面，较低的往往是差模，共模存在于较高的功率。了解到这点之后，对于EMI测试中共模与差模的区别就变得清晰明确了。
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