本月中旬，在日本东京举办了 ITF 论坛。论坛上，与 ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构 IMEC 公布了 3nm 及以下制程的在微缩层面技术细节。

 

至少就目前而言，ASML 对于 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 都做了清晰的路线规划，且 1nm 时代的光刻机体积将增大不少。

 


图源：ASML

 

Luc Van den hove 并公布了 3nm 及以下制程的微缩层面技术细节。截至目前，ASML 已经布局了 3nm、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未来发展路线规划。

 

 

根据先前晶圆大工大厂台积电和三星电子介绍，从 7nm 制程技术开始，部分制程技术已经推出了 NA=0.33 的 EUV 曝光设备，5nm 制程技术也达成了频率的提升，但对于 2nm 以下的超精细制程技术，则还是需要能够达成更高的分辨率和更高 NA （NA=0.55） 的曝光设备。

 

对此，目前 ASML 也已经完成了做为 NXE:5000 系列的高 NA EUV 曝光设备的基本设计，但商业化的时间则是预计最快在 2022 年左右。

 

该报道指出，包括日本在内的许多半导体公司已经退出了微缩化工艺，声称摩尔定律已经走到了尽头，或者称它成本过高且无利可图。

 

但 ASML 过去一直与 IMEC 密切合作开发光刻技术，但为了开发使用高 NA EUV 曝光设备，ASML 在 IMEC 的园区内成立了新的“IMEC-ASML 高 NA EUV 实验室”，以共同开发和使用高 NA EUV 曝光设备的相关技术。


据称在当前台积电、三星的 7nm、5nm 制造中已经引入了 NA=0.33 的 EUV 曝光设备，2nm 之后需要更高分辨率的曝光设备，也就是 NA=0.55。好在 ASML 已经完成了 0.55NA 曝光设备的基本设计(即 NXE：5000 系列)，预计在 2022 年实现商业化。

 

至于上文提到的尺寸为何大幅增加就是光学器件增大所致，洁净室指标也达到天花板。

 

阿斯麦目前在售的两款极紫外光刻机分别是 TWINSCAN NXE:3400B 和 TWINSCAN NXE:3400C，3600D 计划明年年中出货，生产效率将提升 18%。