/ 美通社 / -- 新思科技（Synopsys，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，其 3DIC Compiler 解决方案协助三星在一次封装中完成具有 8 个高带宽存储器（HBM）的复杂 5 纳米 SoC 的设计、实现和流片。借助 3DIC Compiler 平台，三星基于硅中介层技术的多裸晶芯片集成（MDI™）能够扩展用于高性能计算（HPC）的全新 SoC 设计的复杂性和容量。与 3DIC Compiler 的合作可提高三星的设计效率，将完成设计所需时间从数月缩短至数小时。

为应对 HPC 等加速发展市场中的关键设计挑战，先进封装变得越来越重要。HPC 正在推动越来越多的 HBM 集成到封装中，以实现更高的带宽和更快的访问。每个 HBM 堆栈的集成都需要成千上万的额外 die-to-die 互连，这增加了封装中多裸晶 SoC 的设计复杂性，并且从早期探索到设计签核都需要进行大量的分析。

三星电子制造设计技术部副总裁 Sangyun Kim 表示：“人工智能和高端网络应用越来越需要更高水平的集成、更高性能的计算和更多的内存访问，所有这些都推动了对高级封装技术的需求“。三星创新的多裸晶芯片集成硅中介层技术可为客户提供更强大的功能和更高的系统性能，同时还能实现更小的外形尺寸和更快的上市时间。我们与新思科技的合作可为客户提供全面的协同设计和协同分析解决方案，采用三星多裸晶芯片集成技术进行设计，可确保高生产率并缩短生产时间。”

新思科技的 3DIC Compiler 建基于统一的平台，可利用感知信号完整性的自动布线和屏蔽功能来提高协同设计效率。3DIC Compiler 为设计自动化提供了一套全面的功能，包括凸块放置、高密度布线和屏蔽。为了确保设计的稳定性，3DIC Compiler 还使用三星的硅中介层技术，提供 Ansys® RedHawk™系列芯片封装协同仿真工具的 in-design 支持，以全面分析信号和电源完整性、以及封装中大量 HBM 堆栈的热学可靠性。

新思科技设计事业部系统解决方案及生态系统支持高级副总裁 Charles Matar 表示：“SoC 团队在使用多裸晶芯片解决方案为 HPC、AI、5G 和汽车等前沿应用开发异构设计时，面临复杂的设计挑战。我们与三星的合作为先进集成和技术创新提供了最佳的生态系统，可加快产品上市时间，为客户解决复杂的体系结构并降低系统级成本。”

新思科技专家在 10 月 28 日的 Samsung Advanced Foundry 生态系统（SAFE）论坛上讨论新思科技 3DIC Compiler 的功能、设计流程方法和针对三星多裸晶芯片集成技术优化的支持。