DMP4015SPSQ MOSFET可作为理想的二极管操作,在电池正确连接时驱动电流,以及在电池意外出现反向连接时阻断电流。该器件只需少量无源部件就能驱动,而N通道MOSFET则要利用充电泵供应栅极驱动电压,过程繁复之余,成本和部件数量也上升。新器件免除了充电泵开关拓扑的需要,还能防止电磁干扰问题。
DMP4015SPSQ抗雪崩能力极强,并且完全通过非箝位电感开关测试,确保MOSFET在供电中断时能够承受ISO 7637标准下最坏的能量脉冲情况,并同时向电感负载供电。它能够用低于11mΩ的低导通电阻尽量降低功耗,因而可在较低的温度下工作,从而能简化散热设计及提升产品可靠性。该器件把几个MOSFET并联配置,能够以系数n2进一步降低功耗。
DMP4015SPSQ采用PowerDI 5060封装,并以一千个为出货批量。此外,同类型的DMP4015SK3Q以TO252 (DPAK) 封装供应,DMP4015SSSQ就采用SO-8封装。
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